В полупроводниках n-типа донорная примесь добавляет свободные электроны, которые становятся основными носителями заряда. Эти электроны обладают отрицательным зарядом и могут перемещаться по материалу, создавая тем самым проводимость.

Донорные примеси, такие как фосфор или арсен, добавляют свободные электроны в кристаллическую решетку полупроводника, что приводит к образованию экстра-электронов в зоне проводимости. В результате этого, в полупроводнике образуется избыточное количество отрицательно заряженных носителей заряда, что увеличивает проводимость материала.