Для вычисления запирающего напряжения используем формулу Эйнштейна:
Запирающее напряжение V = h*c/lambda - A,
где h - постоянная Планка (6,62610^(-34) Джс),c - скорость света (3*10^8 м/с),lambda - длина волны света,A - работа выхода.
Переведем длину волны в метры: lambda = 100*10^(-9) м.
Подставим все значения в формулу:
V = (6,62610^(-34) 310^8) / (10010^(-9)) - 4,3,V = 1,9878*10^(-15) - 4,3,V ≈ -4,3 В.
Таким образом, запирающее напряжение для фотоэлектронов при облучении цинка светом с длиной волны 100 нм равно примерно -4,3 В.
Для вычисления запирающего напряжения используем формулу Эйнштейна:
Запирающее напряжение V = h*c/lambda - A,
где h - постоянная Планка (6,62610^(-34) Джс),
c - скорость света (3*10^8 м/с),
lambda - длина волны света,
A - работа выхода.
Переведем длину волны в метры: lambda = 100*10^(-9) м.
Подставим все значения в формулу:
V = (6,62610^(-34) 310^8) / (10010^(-9)) - 4,3,
V = 1,9878*10^(-15) - 4,3,
V ≈ -4,3 В.
Таким образом, запирающее напряжение для фотоэлектронов при облучении цинка светом с длиной волны 100 нм равно примерно -4,3 В.