Коротко: термоэлектрический эффект в сильно неоднородном материале — это сумма локальных термоэлектрических полей (локальный коэффициент Зеебека), электродинамических полей, возникающих из-за градиентов химического потенциала (диффузионные потенциалы), и неклассических/неравновесных эффектов при больших градиентах (горячие носители, нелокальная проводимость, фононное сцепление). Для интерпретации нужно учитывать оба вклада и критерий применимости линейной теории. Основные уравнения (локальная, линейная теория): - поток заряда (электронная плотность тока) Je=σ(−∇ϕ+S∇T−1e∇μch),
\mathbf{J}_e=\sigma\bigl(-\nabla\phi + S\nabla T - \tfrac{1}{e}\nabla\mu_{ch}\bigr), Je=σ(−∇ϕ+S∇T−e1∇μch),
где σ\sigmaσ — проводимость, ϕ\phiϕ — электрический потенциал, SSS — локальный коэффициент Зеебека (зависит от x,T,x,T,x,T, состава), μch\mu_{ch}μch — химический потенциал носителей, eee — модуль заряда электрона. - поток тепла (в удобной форме) Jq=ΠJe−κ∇T,
\mathbf{J}_q = \Pi \mathbf{J}_e - \kappa\nabla T, Jq=ΠJe−κ∇T,
где Π\PiΠ — Пельтье-контант связанный с SSS через онзагеровские соотношения, κ\kappaκ — теплопроводность. При стационарном открытом контуре (Je=0\mathbf{J}_e=0Je=0) электрическое поле определяется ∇ϕ=S∇T−1e∇μch,
\nabla\phi = S\nabla T - \tfrac{1}{e}\nabla\mu_{ch}, ∇ϕ=S∇T−e1∇μch,
и падение напряжения между точками AAA и BBBΔV=ϕ(B)−ϕ(A)=−∫ABS(r) ∇T⋅dr−1e[μch(B)−μch(A)].
\Delta V=\phi(B)-\phi(A) = -\int_A^B S(\mathbf{r})\,\nabla T\cdot d\mathbf{r} - \tfrac{1}{e}\bigl[\mu_{ch}(B)-\mu_{ch}(A)\bigr]. ΔV=ϕ(B)−ϕ(A)=−∫ABS(r)∇T⋅dr−e1[μch(B)−μch(A)].
То есть: суммируются вклад локального Зеебека (интеграл по траектории) и изменение химического потенциала (диффузионный потенциал, контактные эффекты). Дополнительные важные эффекты в сильной неоднородности: - градиент S(r)S(\mathbf{r})S(r) сам по себе даёт локальные ЭДС и может создавать внутренние «элементы» (термоэлектрические дожди), особенно на границах материалов с разными SSS; - фононный (phonon) и электронный drag при сильных градиентах температуры: дополнительный перенос заряда за счёт неупорядоченных фононов; важен при низких температурах/сильном рассеянии; - двуполюсные (bipolar) эффекты в полупроводниках: совместный вклад электронов и дырок даёт нелинейную зависимость \(S(T,\) концентрация\()\); - при больших градиентах нарушается локальная равновесность → линейный отклик (онзагер) может не сработать: требуется кинетическое описание (Больцмана, Monte‑Carlo), учитывать длину свободного пробега, неравновесную функцию распределения; - границы/контакты дают контактную разность потенциалов (работа выхода), которую обязательно учитывать при измерении. Практическое моделирование/интерпретация: - при умеренных градиентах использовать местно-зависимые коэффициенты S(x,T,c)S(x,T,c)S(x,T,c), σ(x,T,c)\sigma(x,T,c)σ(x,T,c), κ(x,T,c)\kappa(x,T,c)κ(x,T,c) и решать систему уравнений тока заряда + теплового баланса + уравнение переноса состава (консервация вещества/диффузия) вместе с Пуазейлем/Поисоном, если необходимо электростатическое поле; - при сильных градиентах или когда длина свободного пробега сопоставима с масштабом неоднородности — решать кинетическое уравнение Больцмана (или использовать нелинейную термоэлектрическую теорию), учесть внеровновесные распределения и интерфейсные процессы; - для анализа измерений разложите измеренное напряжение на интеграл локального S∇TS\nabla TS∇T и на вклад изменения химического потенциала/контактных падений. Краткое правило интерпретации: вычисляйте локальные термоэлектрические эмиссии (S∇TS\nabla TS∇T), прибавляйте диффузионные электрополя от ∇μch\nabla\mu_{ch}∇μch и проверяйте применимость линейной теории — при её нарушении переходите к кинетическому описанию.
Основные уравнения (локальная, линейная теория):
- поток заряда (электронная плотность тока)
Je=σ(−∇ϕ+S∇T−1e∇μch), \mathbf{J}_e=\sigma\bigl(-\nabla\phi + S\nabla T - \tfrac{1}{e}\nabla\mu_{ch}\bigr),
Je =σ(−∇ϕ+S∇T−e1 ∇μch ), где σ\sigmaσ — проводимость, ϕ\phiϕ — электрический потенциал, SSS — локальный коэффициент Зеебека (зависит от x,T,x,T,x,T, состава), μch\mu_{ch}μch — химический потенциал носителей, eee — модуль заряда электрона.
- поток тепла (в удобной форме)
Jq=ΠJe−κ∇T, \mathbf{J}_q = \Pi \mathbf{J}_e - \kappa\nabla T,
Jq =ΠJe −κ∇T, где Π\PiΠ — Пельтье-контант связанный с SSS через онзагеровские соотношения, κ\kappaκ — теплопроводность.
При стационарном открытом контуре (Je=0\mathbf{J}_e=0Je =0) электрическое поле определяется
∇ϕ=S∇T−1e∇μch, \nabla\phi = S\nabla T - \tfrac{1}{e}\nabla\mu_{ch},
∇ϕ=S∇T−e1 ∇μch , и падение напряжения между точками AAA и BBB ΔV=ϕ(B)−ϕ(A)=−∫ABS(r) ∇T⋅dr−1e[μch(B)−μch(A)]. \Delta V=\phi(B)-\phi(A) = -\int_A^B S(\mathbf{r})\,\nabla T\cdot d\mathbf{r} - \tfrac{1}{e}\bigl[\mu_{ch}(B)-\mu_{ch}(A)\bigr].
ΔV=ϕ(B)−ϕ(A)=−∫AB S(r)∇T⋅dr−e1 [μch (B)−μch (A)]. То есть: суммируются вклад локального Зеебека (интеграл по траектории) и изменение химического потенциала (диффузионный потенциал, контактные эффекты).
Дополнительные важные эффекты в сильной неоднородности:
- градиент S(r)S(\mathbf{r})S(r) сам по себе даёт локальные ЭДС и может создавать внутренние «элементы» (термоэлектрические дожди), особенно на границах материалов с разными SSS;
- фононный (phonon) и электронный drag при сильных градиентах температуры: дополнительный перенос заряда за счёт неупорядоченных фононов; важен при низких температурах/сильном рассеянии;
- двуполюсные (bipolar) эффекты в полупроводниках: совместный вклад электронов и дырок даёт нелинейную зависимость \(S(T,\) концентрация\()\);
- при больших градиентах нарушается локальная равновесность → линейный отклик (онзагер) может не сработать: требуется кинетическое описание (Больцмана, Monte‑Carlo), учитывать длину свободного пробега, неравновесную функцию распределения;
- границы/контакты дают контактную разность потенциалов (работа выхода), которую обязательно учитывать при измерении.
Практическое моделирование/интерпретация:
- при умеренных градиентах использовать местно-зависимые коэффициенты S(x,T,c)S(x,T,c)S(x,T,c), σ(x,T,c)\sigma(x,T,c)σ(x,T,c), κ(x,T,c)\kappa(x,T,c)κ(x,T,c) и решать систему уравнений тока заряда + теплового баланса + уравнение переноса состава (консервация вещества/диффузия) вместе с Пуазейлем/Поисоном, если необходимо электростатическое поле;
- при сильных градиентах или когда длина свободного пробега сопоставима с масштабом неоднородности — решать кинетическое уравнение Больцмана (или использовать нелинейную термоэлектрическую теорию), учесть внеровновесные распределения и интерфейсные процессы;
- для анализа измерений разложите измеренное напряжение на интеграл локального S∇TS\nabla TS∇T и на вклад изменения химического потенциала/контактных падений.
Краткое правило интерпретации: вычисляйте локальные термоэлектрические эмиссии (S∇TS\nabla TS∇T), прибавляйте диффузионные электрополя от ∇μch\nabla\mu_{ch}∇μch и проверяйте применимость линейной теории — при её нарушении переходите к кинетическому описанию.