Полупроводниковые электронные устройства с примесной проводимостью имеют температурные ограничения из-за того, что при повышении температуры увеличивается кинетическая энергия носителей заряда (электронов и дырок), что может привести к увеличению количества несовершенств в кристаллической структуре материала. Это, в свою очередь, может привести к увеличению электрического сопротивления, ухудшению электрических свойств устройства и даже к его выходу из строя. Также повышение температуры может способствовать разрушению материала полупроводника или других элементов устройства из-за теплового расширения, что также вызывает ограничения на эксплуатацию при повышенных температурах.