В какой области, на границе с p-n переходом наблюдается избыточная концентрация неосновных носителей заряда? В какой области, на границе с p-n переходом наблюдается избыточная концентрация неосновных носителей заряда?
1.В обеих областях на границах с p-n перходом
2.Дырок в p-области и электронов в n-области в отсутствие внешнего источника
3.В области эмиттера дырок, в области базы электронов при обратном напряжении на переходе
4.В слабо легированной области (базе) за счет инжекции из сильно легированной области (эмиттера) при прямом напряжении

17 Фев 2021 в 19:42
161 +1
1
Ответы
1

Ответ: 3. В области эмиттера дырок, в области базы электронов при обратном напряжении на переходе

17 Апр 2024 в 20:55
Не можешь разобраться в этой теме?
Обратись за помощью к экспертам
Гарантированные бесплатные доработки в течение 1 года
Быстрое выполнение от 2 часов
Проверка работы на плагиат
Поможем написать учебную работу
Прямой эфир