Для колебательного контура с индуктивностью L и ёмкостью C, добротность Q контура определяется как:
Q = 1 / R * sqrt(L / C),
где R - активное сопротивление контура. Так как контур настроен на длину волны, тогда сопротивление контура равно нулю, и Q бесконечно велико.
Максимальное напряжение на конденсаторе можно найти по формуле:
U_max = Q sqrt(W / (1/2 C * (2π / l)^2)),
где U_max - максимальное напряжение на конденсаторе, W - энергия, запасенная в контуре, l - длина волны, C - ёмкость.
Подставляем известные значения:
U_max = ∞ sqrt(4 ∙ 10^(-10) / (1/2 C * (2π / 20)^2)),
U_max = ∞ sqrt(4 ∙ 10^(-10) / (C (π / 10)^2)).
Так как добротность бесконечно велика, то максимальное напряжение на конденсаторе будет бесконечно большим.
Для колебательного контура с индуктивностью L и ёмкостью C, добротность Q контура определяется как:
Q = 1 / R * sqrt(L / C),
где R - активное сопротивление контура. Так как контур настроен на длину волны, тогда сопротивление контура равно нулю, и Q бесконечно велико.
Максимальное напряжение на конденсаторе можно найти по формуле:
U_max = Q sqrt(W / (1/2 C * (2π / l)^2)),
где U_max - максимальное напряжение на конденсаторе, W - энергия, запасенная в контуре, l - длина волны, C - ёмкость.
Подставляем известные значения:
U_max = ∞ sqrt(4 ∙ 10^(-10) / (1/2 C * (2π / 20)^2)),
U_max = ∞ sqrt(4 ∙ 10^(-10) / (C (π / 10)^2)).
Так как добротность бесконечно велика, то максимальное напряжение на конденсаторе будет бесконечно большим.