Появление новых линий поглощения в спектре кристалла при нагреве может указывать на несколько важных аспектов, связанных со структурой кристалла и наличием дефектов. Вот некоторые возможные объяснения:

Температурная активация дефектов: При повышении температуры энергия дефектов (например, вакансий, межузловых атомов или подвижных примесных элементов) может увеличиваться, что приводит к их активации. В этом случае новые линии поглощения могут быть связаны с переходами электронов в эти дефекты или переходами между уровнями энергии внутри них.

Деформация структуры: Повышение температуры может вызвать изменение кристаллической структуры (например, фазовый переход), что также может приводить к появлению новых энергетических уровней. Это может быть связано с изменением межатомных расстояний и углов, что в свою очередь влияет наElectronic transitions.

Выделение новообразований: При нагреве в некоторых материалах могут происходить термические реакции, ведущие к образованию новых фаз или веществ, которые могут иметь свои собственные линии поглощения. Например, в полупроводниках это может происходить при образовании точечных дефектов или комплексов между атомами примесей.

Изотропность и анизотропность поглощения: Нагрев может вызвать изменение симметрии кристаллической решетки, что влияет на спектроскопические свойства. Это может привести к появлению новых линий поглощения из-за изменяющихся свойств электронной структуры, таких как анизотропия поглощения.

Состояния на поверхности: При нагреве изменяются также и поверхностные состояния кристалла, их структура и концентрация. Это может приводить к новым линиям поглощения в спектре, связанным с переходами в условиях измененной электронной окружения.

Для более точного понимания природы новых линий поглощения желательно провести дополнительные исследования, такие как температурная зависимость спектра поглощения, исследования по другим спектроскопическим методам (например, ЯМР или ЭПР) и методы рентгеновской дифракции для изучения структуры кристалла до и после нагрева.