Как объяснить эффект Холла в полупроводниках и металлах — рассмотрите классические и квантовые версии эффекта, влияние подвижности носителей и магнитного поля
Классическая версия (друдевая картинка) - Причина: на носители заряда действует сила Лоренца F=q(v×B)\mathbf{F}=q(\mathbf{v}\times\mathbf{B})F=q(v×B). При стационарном состоянии поперечное электрическое поле EyE_yEy уравновешивает эту силу. - Вывод простых выражений: при токе вдоль xxx, плотности тока jx=nqvxj_x=n q v_xjx=nqvx имеем Ey=vxB=jxBnq.
E_y=v_x B=\frac{j_x B}{n q}. Ey=vxB=nqjxB.
Отсюда коэффициент Холла RH=EyjxB=1nq,
R_H=\frac{E_y}{j_x B}=\frac{1}{n q}, RH=jxBEy=nq1,
и падающее напряжение (для прямоугольного образца толщиной ttt по направлению zzz) VH=Eyw=IBnq t,
V_H=E_y w=\frac{I B}{n q\, t}, VH=Eyw=nqtIB,
с учётом знака заряда qqq (для электронов q=−eq=-eq=−e, RH=−1/(ne)R_H=-1/(ne)RH=−1/(ne)). - Тензор проводимости в модели Друде: σxx=nqμ1+(μB)2,σxy=nqμ2B1+(μB)2,
\sigma_{xx}=\frac{n q \mu}{1+(\mu B)^2},\qquad \sigma_{xy}=\frac{n q \mu^2 B}{1+(\mu B)^2}, σxx=1+(μB)2nqμ,σxy=1+(μB)2nqμ2B,
где μ=∣q∣τ/m\mu=|q|\tau/mμ=∣q∣τ/m — подвижность; угол Холла θH\theta_HθH задаётся tanθH=ωcτ=μB.
\tan\theta_H=\omega_c\tau=\mu B. tanθH=ωcτ=μB.
- Влияние подвижности и поля: при малых μB\mu BμB поведение линейно (RHR_HRH постоянен), при больших μB\mu BμB поперечные эффекты доминируют, θH\theta_HθH приближается к 90∘90^\circ90∘. Для наблюдения выраженных магнитных эффектов требуется μB≳1\mu B\gtrsim1μB≳1. Квантовая версия (квантованный эффект Холла и осцилляции) - Ландау‑уровни: в сильном поле классические орбиты квантуются, уровни разделены энергией ℏωc\hbar\omega_cℏωc, где ωc=∣q∣B/m\omega_c=|q|B/mωc=∣q∣B/m. - В двумерном электронном газе на площадь приходятся уровни с вырожденностью nB=eBh.
n_B=\frac{eB}{h}. nB=heB.
Заполнение характеризуется заполнением (филлинг-фактором) ν=n2DnB=n2DheB.
\nu=\frac{n_{2D}}{n_B}=\frac{n_{2D} h}{eB}. ν=nBn2D=eBn2Dh.
- Целый квантованный эффект Холла: при низкой температуре и больших BBB поперечная проводимость становится ступенчатой σxy=νe2h,Rxy=1σxy=hνe2,
\sigma_{xy}=\nu\frac{e^2}{h},\qquad R_{xy}=\frac{1}{\sigma_{xy}}=\frac{h}{\nu e^2}, σxy=νhe2,Rxy=σxy1=νe2h,
где ν\nuν — целое (целочисленный QHE). Плато возникают из-за локализации состояний в дискретных Ландау‑уровнях; перенос осуществляется по краевым состояниям. - Дробный QHE: при сильных взаимодействиях возникают плато при дробных ν\nuν (квазичастицы с дробным зарядом). - Квантовые осцилляции (Shubnikov–de Haas): осцилляции сопротивления периодичны по 1/B1/B1/B, мощность затухает с понижением подвижности; условие наблюдаемости — ℏωc≳kBT\hbar\omega_c\gtrsim k_B Tℏωc≳kBT и ωcτ≫1\omega_c\tau\gg1ωcτ≫1. Отличия в металлах и полупроводниках - Плотность носителей: в металлах nnn очень велика ⇒\Rightarrow⇒ малый RHR_HRH; в полупроводниках nnn малый ⇒\Rightarrow⇒ большой VHV_HVH — поэтому полупроводники удобны для измерения nnn и типа носителей. - Многополосная картина: в металлах часто участвуют несколько зон/типов носителей — тогда RH=pμh2−nμe2e(pμh+nμe)2
R_H=\frac{p\mu_h^2-n\mu_e^2}{e(p\mu_h+n\mu_e)^2} RH=e(pμh+nμe)2pμh2−nμe2
и знак/температурная зависимость могут меняться; однокомпонентная формула даёт неверный результат. - Подвижность: в чистых полупроводниковых структурах μ\muμ может быть очень большой, что облегчает достижение квантового режима (μB≫1\mu B\gg1μB≫1). В металлах τ\tauτ обычно меньше, но при очень низких температурах и сильных полях можно наблюдать квантовые осцилляции. - Практически: полупроводниковые 2D‑газы (инверсионные слои, гетероструктуры, графен) — стандарт для QHE; в объёмных металлах обычно наблюдают de Haas–van Alphen и Shubnikov–de Haas, но не QHE. Ключевые условия и показатели - Классический режим: формулы RH=1/(nq)R_H=1/(nq)RH=1/(nq), VH=IB/(nqt)V_H=IB/(nqt)VH=IB/(nqt), tanθH=μB\tan\theta_H=\mu BtanθH=μB. - Переход к квантовому: требуется высокая подвижность (μB≫1\mu B\gg1μB≫1), низкая температура (ℏωc≳kBT\hbar\omega_c\gtrsim k_B Tℏωc≳kBT), двумерность и сильное поле. - Квантовый сигнал: ступенчатая σxy=νe2/h\sigma_{xy}=\nu e^2/hσxy=νe2/h и нулевое σxx\sigma_{xx}σxx на плато (идеально). Этого достаточно, чтобы понять, как магнитное поле и подвижность влияют на классический и квантовый эффекты Холла в металлах и полупроводниках.
- Причина: на носители заряда действует сила Лоренца F=q(v×B)\mathbf{F}=q(\mathbf{v}\times\mathbf{B})F=q(v×B). При стационарном состоянии поперечное электрическое поле EyE_yEy уравновешивает эту силу.
- Вывод простых выражений: при токе вдоль xxx, плотности тока jx=nqvxj_x=n q v_xjx =nqvx имеем
Ey=vxB=jxBnq. E_y=v_x B=\frac{j_x B}{n q}.
Ey =vx B=nqjx B . Отсюда коэффициент Холла
RH=EyjxB=1nq, R_H=\frac{E_y}{j_x B}=\frac{1}{n q},
RH =jx BEy =nq1 , и падающее напряжение (для прямоугольного образца толщиной ttt по направлению zzz)
VH=Eyw=IBnq t, V_H=E_y w=\frac{I B}{n q\, t},
VH =Ey w=nqtIB , с учётом знака заряда qqq (для электронов q=−eq=-eq=−e, RH=−1/(ne)R_H=-1/(ne)RH =−1/(ne)).
- Тензор проводимости в модели Друде:
σxx=nqμ1+(μB)2,σxy=nqμ2B1+(μB)2, \sigma_{xx}=\frac{n q \mu}{1+(\mu B)^2},\qquad
\sigma_{xy}=\frac{n q \mu^2 B}{1+(\mu B)^2},
σxx =1+(μB)2nqμ ,σxy =1+(μB)2nqμ2B , где μ=∣q∣τ/m\mu=|q|\tau/mμ=∣q∣τ/m — подвижность; угол Холла θH\theta_HθH задаётся
tanθH=ωcτ=μB. \tan\theta_H=\omega_c\tau=\mu B.
tanθH =ωc τ=μB. - Влияние подвижности и поля: при малых μB\mu BμB поведение линейно (RHR_HRH постоянен), при больших μB\mu BμB поперечные эффекты доминируют, θH\theta_HθH приближается к 90∘90^\circ90∘. Для наблюдения выраженных магнитных эффектов требуется μB≳1\mu B\gtrsim1μB≳1.
Квантовая версия (квантованный эффект Холла и осцилляции)
- Ландау‑уровни: в сильном поле классические орбиты квантуются, уровни разделены энергией ℏωc\hbar\omega_cℏωc , где ωc=∣q∣B/m\omega_c=|q|B/mωc =∣q∣B/m.
- В двумерном электронном газе на площадь приходятся уровни с вырожденностью
nB=eBh. n_B=\frac{eB}{h}.
nB =heB . Заполнение характеризуется заполнением (филлинг-фактором)
ν=n2DnB=n2DheB. \nu=\frac{n_{2D}}{n_B}=\frac{n_{2D} h}{eB}.
ν=nB n2D =eBn2D h . - Целый квантованный эффект Холла: при низкой температуре и больших BBB поперечная проводимость становится ступенчатой
σxy=νe2h,Rxy=1σxy=hνe2, \sigma_{xy}=\nu\frac{e^2}{h},\qquad R_{xy}=\frac{1}{\sigma_{xy}}=\frac{h}{\nu e^2},
σxy =νhe2 ,Rxy =σxy 1 =νe2h , где ν\nuν — целое (целочисленный QHE). Плато возникают из-за локализации состояний в дискретных Ландау‑уровнях; перенос осуществляется по краевым состояниям.
- Дробный QHE: при сильных взаимодействиях возникают плато при дробных ν\nuν (квазичастицы с дробным зарядом).
- Квантовые осцилляции (Shubnikov–de Haas): осцилляции сопротивления периодичны по 1/B1/B1/B, мощность затухает с понижением подвижности; условие наблюдаемости — ℏωc≳kBT\hbar\omega_c\gtrsim k_B Tℏωc ≳kB T и ωcτ≫1\omega_c\tau\gg1ωc τ≫1.
Отличия в металлах и полупроводниках
- Плотность носителей: в металлах nnn очень велика ⇒\Rightarrow⇒ малый RHR_HRH ; в полупроводниках nnn малый ⇒\Rightarrow⇒ большой VHV_HVH — поэтому полупроводники удобны для измерения nnn и типа носителей.
- Многополосная картина: в металлах часто участвуют несколько зон/типов носителей — тогда
RH=pμh2−nμe2e(pμh+nμe)2 R_H=\frac{p\mu_h^2-n\mu_e^2}{e(p\mu_h+n\mu_e)^2}
RH =e(pμh +nμe )2pμh2 −nμe2 и знак/температурная зависимость могут меняться; однокомпонентная формула даёт неверный результат.
- Подвижность: в чистых полупроводниковых структурах μ\muμ может быть очень большой, что облегчает достижение квантового режима (μB≫1\mu B\gg1μB≫1). В металлах τ\tauτ обычно меньше, но при очень низких температурах и сильных полях можно наблюдать квантовые осцилляции.
- Практически: полупроводниковые 2D‑газы (инверсионные слои, гетероструктуры, графен) — стандарт для QHE; в объёмных металлах обычно наблюдают de Haas–van Alphen и Shubnikov–de Haas, но не QHE.
Ключевые условия и показатели
- Классический режим: формулы RH=1/(nq)R_H=1/(nq)RH =1/(nq), VH=IB/(nqt)V_H=IB/(nqt)VH =IB/(nqt), tanθH=μB\tan\theta_H=\mu BtanθH =μB.
- Переход к квантовому: требуется высокая подвижность (μB≫1\mu B\gg1μB≫1), низкая температура (ℏωc≳kBT\hbar\omega_c\gtrsim k_B Tℏωc ≳kB T), двумерность и сильное поле.
- Квантовый сигнал: ступенчатая σxy=νe2/h\sigma_{xy}=\nu e^2/hσxy =νe2/h и нулевое σxx\sigma_{xx}σxx на плато (идеально).
Этого достаточно, чтобы понять, как магнитное поле и подвижность влияют на классический и квантовый эффекты Холла в металлах и полупроводниках.