Как изменение проводимости материала на поверхности из-за нанесённого слоя влияет на скин-эффект и распределение тока в проводнике при высоких частотах
Коротко — изменение проводимости поверхности изменяет местный поверхностный импеданс и тем самым глубину проникновения и распределение тока. Пояснения и ключевые формулы: 1) Базовая шкала — скин‑глубина для однородного проводника δ=2ωμσ.
\delta=\sqrt{\frac{2}{\omega\mu\sigma}}. δ=ωμσ2.
Ток убывает по глубине как J(z)=J0e−z/δejz/δJ(z)=J_0 e^{-z/\delta}e^{jz/\delta}J(z)=J0e−z/δejz/δ. Увеличение σ\sigmaσ уменьшает δ\deltaδ и сильнее концентрирует ток у поверхности. 2) Поверхностный импеданс тонкого/толстого слоя: - Для «толстого» слоя (толщина t≫δслояt\gg\delta_{\text{слоя}}t≫δслоя) поверхность ведёт себя как однородный проводник с Zs≈(1+j)ωμ2σслоя.
Z_s\approx(1+j)\sqrt{\frac{\omega\mu}{2\sigma_{\text{слоя}}}}. Zs≈(1+j)2σслояωμ.
Ток практически протекает в самом слое; вклад подложки мал. - Для «тонкого» слоя (t≪δслояt\ll\delta_{\text{слоя}}t≪δслоя) слой задаёт удельное сопротивление в виде удельной площади (sheet resistance) R□≈1σслоя t,
R_{\square}\approx\frac{1}{\sigma_{\text{слоя}}\,t}, R□≈σслояt1,
и результирующий поверхностный импеданс определяется сочетанием R□R_{\square}R□ и реактивной составляющей; при сильной рассеивающей (резистивной) плёнке реактивная часть мала и Zs≈R□Z_s\approx R_{\square}Zs≈R□. 3) В двухслойной структуре (слой/подложка) распределение тока — кусочно‑экспоненциальное: в каждом материале ток убывает с собственной δ\deltaδ, а амплитуды связаны условиями непрерывности касательных компонент EEE и HHH на интерфейсе. Если слой имеет гораздо большую σ\sigmaσ и достаточную толщину, основной ток «пересаживается» в слой; если слой менее проводим, он увеличивает эффективное поверхностное сопротивление и потери. 4) Практические следствия: - Высокопроводящий слой (никелирование/посеребрение) уменьшает активную составляющую ZsZ_sZs и снижает потери при ВЧ. - Тонкий, но проводящий слой снижает потери только если его толщина сравнима/больше соответствующей δ\deltaδ; иначе полезен как шина только до тех пор, пока R□R_{\square}R□ низок. - Резистивный или окисный слой увеличивает ZsZ_sZs, приводит к большим нагреву и изменению распределения тока (больше рассеяния у поверхности). - На очень высоких частотах/при очень малой длине свободного пробега возникают нелокальные (анома льный) эффекты — классические формулы меняются. Вывод: изменение проводимости поверхности эквивалентно изменению поверхностного импеданса ZsZ_sZs; в зависимости от относительной толщины слоя и его σ\sigmaσ ток либо концентрируется в новом слое (снижение потерь при высокой σ\sigmaσ), либо сопротивление и потери увеличиваются (при низкой σ\sigmaσ или окислении).
1) Базовая шкала — скин‑глубина для однородного проводника
δ=2ωμσ. \delta=\sqrt{\frac{2}{\omega\mu\sigma}}.
δ=ωμσ2 . Ток убывает по глубине как J(z)=J0e−z/δejz/δJ(z)=J_0 e^{-z/\delta}e^{jz/\delta}J(z)=J0 e−z/δejz/δ. Увеличение σ\sigmaσ уменьшает δ\deltaδ и сильнее концентрирует ток у поверхности.
2) Поверхностный импеданс тонкого/толстого слоя:
- Для «толстого» слоя (толщина t≫δслояt\gg\delta_{\text{слоя}}t≫δслоя ) поверхность ведёт себя как однородный проводник с
Zs≈(1+j)ωμ2σслоя. Z_s\approx(1+j)\sqrt{\frac{\omega\mu}{2\sigma_{\text{слоя}}}}.
Zs ≈(1+j)2σслоя ωμ . Ток практически протекает в самом слое; вклад подложки мал.
- Для «тонкого» слоя (t≪δслояt\ll\delta_{\text{слоя}}t≪δслоя ) слой задаёт удельное сопротивление в виде удельной площади (sheet resistance)
R□≈1σслоя t, R_{\square}\approx\frac{1}{\sigma_{\text{слоя}}\,t},
R□ ≈σслоя t1 , и результирующий поверхностный импеданс определяется сочетанием R□R_{\square}R□ и реактивной составляющей; при сильной рассеивающей (резистивной) плёнке реактивная часть мала и Zs≈R□Z_s\approx R_{\square}Zs ≈R□ .
3) В двухслойной структуре (слой/подложка) распределение тока — кусочно‑экспоненциальное: в каждом материале ток убывает с собственной δ\deltaδ, а амплитуды связаны условиями непрерывности касательных компонент EEE и HHH на интерфейсе. Если слой имеет гораздо большую σ\sigmaσ и достаточную толщину, основной ток «пересаживается» в слой; если слой менее проводим, он увеличивает эффективное поверхностное сопротивление и потери.
4) Практические следствия:
- Высокопроводящий слой (никелирование/посеребрение) уменьшает активную составляющую ZsZ_sZs и снижает потери при ВЧ.
- Тонкий, но проводящий слой снижает потери только если его толщина сравнима/больше соответствующей δ\deltaδ; иначе полезен как шина только до тех пор, пока R□R_{\square}R□ низок.
- Резистивный или окисный слой увеличивает ZsZ_sZs , приводит к большим нагреву и изменению распределения тока (больше рассеяния у поверхности).
- На очень высоких частотах/при очень малой длине свободного пробега возникают нелокальные (анома льный) эффекты — классические формулы меняются.
Вывод: изменение проводимости поверхности эквивалентно изменению поверхностного импеданса ZsZ_sZs ; в зависимости от относительной толщины слоя и его σ\sigmaσ ток либо концентрируется в новом слое (снижение потерь при высокой σ\sigmaσ), либо сопротивление и потери увеличиваются (при низкой σ\sigmaσ или окислении).