Сопротивление полупроводника зависит от концентрации свободных носителей заряда (электронов и дырок) в материале. При ярком освещении на полупроводник могут падать фотоны, которые могут вырывать электроны из связанных состояний и создавать свободные носители заряда. Это приводит к увеличению концентрации носителей заряда и уменьшению сопротивления материала. Поэтому измерение сопротивления полупроводника при очень ярком освещении может дать неправильные результаты и не будет отражать действительное состояние материала.