Пример дырочной проводимости можно рассмотреть на примере полупроводника галлия (GaAs). Предположим, что в полупроводнике имеется примесь бора (B), который вносит лишние электроны в зону проводимости. Эти лишние электроны оставляют в валентной зоне дырки, которые могут двигаться по кристаллической решетке и участвовать в проведении тока.

Таким образом, дырочная проводимость возникает благодаря передаче электричества через дырки в валентной зоне полупроводника, которые образовались за счет примеси ионов других элементов.