Как различные виды химической связи (ионная, ковалентная, металлическая, водородная, ван‑дер‑ваальсовы) влияют на физические свойства материалов (плавление, прочность, электропроводность) с примерами
Ионная связь - Причина: сильное электростатическое притяжение между противоположно заряженными ионами, обычно не направленное. - Плавление/точка плавления: как правило высокие (пример: NaCl, Tm≈801∘CT_m\approx801^\circ\mathrm{C}Tm≈801∘C). - Прочность/механика: жесткие и хрупкие — при сдвиге слоев на место могут совпасть одноимённые заряды, что вызывает раскол. - Электропроводность: не проводят в твёрдом состоянии (ионы фиксированы), проводят в расплаве или в растворе (подвижные ионы). - Пример: NaCl — высокое TmT_mTm, хрупкость, электролитическая проводимость в расплаве/водном растворе. Ковалентная связь - Причина: совместное использование электронных пар; может быть локальной (молекулярные вещества) или сетевой (карбид, алмаз). - Плавление/точка плавления: молекулярные ковалентные вещества — низкие TmT_mTm (слабые межмолекулярные силы); ковалентные сетки — очень высокие TmT_mTm (алмаз, кварц). - Прочность/механика: ковалентная сеть — высокая твёрдость и прочность (алмаз), но часто хрупкие; молекулярные — мягкие. - Электропроводность: большинство ковалентных сетей — изоляторы (алмаз), исключения — полупроводники/дельта‑системы и графит (плоскости графита проводят за счёт делокализованных π‑электронов). - Примеры: алмаз — очень твёрдый, очень высокий TmT_mTm; графит — хорошая проводимость в плоскости, лёгкое расслоение. Металлическая связь - Причина: делокализованные «электронные моря» обеспечивают ненаправленное связывание положительных ионных решёток. - Плавление/точка плавления: варьируется (пример: Cu, Tm≈1085∘CT_m\approx1085^\circ\mathrm{C}Tm≈1085∘C), обычно средние и высокие значения. - Прочность/механика: пластичность и ковкость — слои атомов могут сдвигаться без разрушения связи (плазмоделокализованные электроны компенсируют). - Электропроводность: высокая электронная проводимость и теплопроводность (часто порядка ∼107 S/m\sim10^7\ \mathrm{S/m}∼107S/m). - Пример: медь — высокая электропроводность, пластичность; железо/сталь — высокая прочность с пластичностью при деформации. Водородная связь - Причина: сильное направление взаимодействия между H, связанным с электроотрицательным атомом (O, N, F), и свободной парой электрона другого атома. - Плавление/точка плавления: повышает TmT_mTm и TbT_bTb по сравнению с аналогами без H‑связей (вода: Tb=100∘CT_b=100^\circ\mathrm{C}Tb=100∘C). - Прочность/механика: усиливает межмолекулярную кооперацию — повышает вязкость, поверхностное натяжение, делает структуры (например, лёд) жёстче, но не придаёт высокой механической твёрдости, как ковалентная сеть. - Электропроводность: сама по себе не даёт свободных носителей заряда — вещества с H‑связью обычно плохие проводники; химически способствует протонной проводимости в специализированных средах. - Пример: вода — аномально высокий TbT_bTb/поверхностное натяжение; ДНК — стабильность двойной спирали за счёт H‑связей. Ван‑дер‑ваальсовы (дисперсионные) силы - Причина: флуктуационные и индуцированные диполи; слабы и недолговечны, ненаправленные. - Плавление/точка плавления: очень низкие TmT_mTm и TbT_bTb (нобельные газы, лёгкие органические молекулы). - Прочность/механика: мягкие, легко деформируются; в случае слоистых структур (графит) vdW‑связи между слоями дают лёгкое расслоение и смазывающие свойства. - Электропроводность: как правило изоляторы (молекулярные кристаллы), но слоистые материалы могут иметь электронные свойства внутри слоёв. - Примеры: аргон — кипит при примерно −186∘C-186^\circ\mathrm{C}−186∘C; межслоевые связи графита — vdW, дающие лёгкое отслоение графеновых слоёв. Краткое резюме (связь → свойства) - Сильнее и более ненаправленное притяжение (металлическое, ионное) → обычно высокая TmT_mTm, хорошая пластичность у металлов, ионные кристаллы — хрупкие; электропроводность: металлы — высокая, ионные — при расплавлении/в растворе. - Направленная сильная связь (ковалентная сеть) → очень высокая твёрдость и TmT_mTm, но хрупкость, обычно низкая электронная проводимость (исключения — делокализованные π‑системы). - Слабые межмолекулярные взаимодействия (водородные, vdW) → низкие TmT_mTm, мягкие/пористые материалы; H‑связи повышают TmT_mTm относительно vdW и дают специфические физико‑химические эффекты (вязкость, поверхностное натяжение).
- Причина: сильное электростатическое притяжение между противоположно заряженными ионами, обычно не направленное.
- Плавление/точка плавления: как правило высокие (пример: NaCl, Tm≈801∘CT_m\approx801^\circ\mathrm{C}Tm ≈801∘C).
- Прочность/механика: жесткие и хрупкие — при сдвиге слоев на место могут совпасть одноимённые заряды, что вызывает раскол.
- Электропроводность: не проводят в твёрдом состоянии (ионы фиксированы), проводят в расплаве или в растворе (подвижные ионы).
- Пример: NaCl — высокое TmT_mTm , хрупкость, электролитическая проводимость в расплаве/водном растворе.
Ковалентная связь
- Причина: совместное использование электронных пар; может быть локальной (молекулярные вещества) или сетевой (карбид, алмаз).
- Плавление/точка плавления: молекулярные ковалентные вещества — низкие TmT_mTm (слабые межмолекулярные силы); ковалентные сетки — очень высокие TmT_mTm (алмаз, кварц).
- Прочность/механика: ковалентная сеть — высокая твёрдость и прочность (алмаз), но часто хрупкие; молекулярные — мягкие.
- Электропроводность: большинство ковалентных сетей — изоляторы (алмаз), исключения — полупроводники/дельта‑системы и графит (плоскости графита проводят за счёт делокализованных π‑электронов).
- Примеры: алмаз — очень твёрдый, очень высокий TmT_mTm ; графит — хорошая проводимость в плоскости, лёгкое расслоение.
Металлическая связь
- Причина: делокализованные «электронные моря» обеспечивают ненаправленное связывание положительных ионных решёток.
- Плавление/точка плавления: варьируется (пример: Cu, Tm≈1085∘CT_m\approx1085^\circ\mathrm{C}Tm ≈1085∘C), обычно средние и высокие значения.
- Прочность/механика: пластичность и ковкость — слои атомов могут сдвигаться без разрушения связи (плазмоделокализованные электроны компенсируют).
- Электропроводность: высокая электронная проводимость и теплопроводность (часто порядка ∼107 S/m\sim10^7\ \mathrm{S/m}∼107 S/m).
- Пример: медь — высокая электропроводность, пластичность; железо/сталь — высокая прочность с пластичностью при деформации.
Водородная связь
- Причина: сильное направление взаимодействия между H, связанным с электроотрицательным атомом (O, N, F), и свободной парой электрона другого атома.
- Плавление/точка плавления: повышает TmT_mTm и TbT_bTb по сравнению с аналогами без H‑связей (вода: Tb=100∘CT_b=100^\circ\mathrm{C}Tb =100∘C).
- Прочность/механика: усиливает межмолекулярную кооперацию — повышает вязкость, поверхностное натяжение, делает структуры (например, лёд) жёстче, но не придаёт высокой механической твёрдости, как ковалентная сеть.
- Электропроводность: сама по себе не даёт свободных носителей заряда — вещества с H‑связью обычно плохие проводники; химически способствует протонной проводимости в специализированных средах.
- Пример: вода — аномально высокий TbT_bTb /поверхностное натяжение; ДНК — стабильность двойной спирали за счёт H‑связей.
Ван‑дер‑ваальсовы (дисперсионные) силы
- Причина: флуктуационные и индуцированные диполи; слабы и недолговечны, ненаправленные.
- Плавление/точка плавления: очень низкие TmT_mTm и TbT_bTb (нобельные газы, лёгкие органические молекулы).
- Прочность/механика: мягкие, легко деформируются; в случае слоистых структур (графит) vdW‑связи между слоями дают лёгкое расслоение и смазывающие свойства.
- Электропроводность: как правило изоляторы (молекулярные кристаллы), но слоистые материалы могут иметь электронные свойства внутри слоёв.
- Примеры: аргон — кипит при примерно −186∘C-186^\circ\mathrm{C}−186∘C; межслоевые связи графита — vdW, дающие лёгкое отслоение графеновых слоёв.
Краткое резюме (связь → свойства)
- Сильнее и более ненаправленное притяжение (металлическое, ионное) → обычно высокая TmT_mTm , хорошая пластичность у металлов, ионные кристаллы — хрупкие; электропроводность: металлы — высокая, ионные — при расплавлении/в растворе.
- Направленная сильная связь (ковалентная сеть) → очень высокая твёрдость и TmT_mTm , но хрупкость, обычно низкая электронная проводимость (исключения — делокализованные π‑системы).
- Слабые межмолекулярные взаимодействия (водородные, vdW) → низкие TmT_mTm , мягкие/пористые материалы; H‑связи повышают TmT_mTm относительно vdW и дают специфические физико‑химические эффекты (вязкость, поверхностное натяжение).