Проанализируйте возможные пути каталитического окисления углеводородов на платиновых катализаторах и обсудите факторы, влияющие на селективность продуктов
Краткий обзор возможных путей и факторов селективности для каталитического окисления углеводородов на платине. 1) Основные реакционные пути - Полное окисление (комбуcтия) до CO2 и H2O: CxHy+(x+y4)O2→xCO2+y2H2O\text{C}_x\text{H}_y + \left(x+\tfrac{y}{4}\right)\text{O}_2 \to x\text{CO}_2 + \tfrac{y}{2}\text{H}_2\text{O}CxHy+(x+4y)O2→xCO2+2yH2O
- Частичное (селективное) окисление — образование спиртов, альдегидов, кетонов, кислот, эпоксидов: например окисление этана в этилен (ODH) и этанол/ацетальдегид: C2H6+12O2→C2H4+H2O\mathrm{C_2H_6 + \tfrac{1}{2}O_2 \to C_2H_4 + H_2O}C2H6+21O2→C2H4+H2OC2H6+O2→C2H5OH (или) CH3CHO+H2O\mathrm{C_2H_6 + O_2 \to C_2H_5OH\ (или)\ CH_3CHO + H_2O}C2H6+O2→C2H5OH(или)CH3CHO+H2O
- Окислительное расщепление C–C (с образованием С1–Сn фрагментов) при агрессивных условиях. 2) Механизмы на поверхности Pt - Langmuir–Hinshelwood (L–H): оба реагента адсорбированы и реагируют на поверхности: R − H(ads)+O(ads)→R(ads)O+H(ads) \mathrm{R\!-\!H_{(ads)} + O_{(ads)} \to R_{(ads)}O + H_{(ads)} }R−H(ads)+O(ads)→R(ads)O+H(ads)
- Eley–Rideal (E–R): газофазный реагент атакует адсорбированный вид. - Mars–van Krevelen (MvK): окисление за счёт «подвижного» кислорода носителя (важно для оксидных поддержек): R-H+Olattice→oxidized product+□+H2O\text{R-H} + O_{lattice} \to \text{oxidized product} + \Box + H_2OR-H+Olattice→oxidized product+□+H2O
затем восстановлённый носитель регенерируется O2. Элементарные шаги: адсорбция R–H, активация C–H (образование алкильных/радикальных или алкоксидных видов), вставка кислорода (алькоксиды → карбонилы/спирты), бета‑гидридэлиминация/дегидрирование, десорбция продукта, дальнейшее окисление до CO/CO2. 3) Факторы, определяющие селективность - Степень окисленности поверхности Pt (Pt^0 vs PtOx): окисленная поверхность активнее к полному окислению; металлическая — к десорбирующим продуктам/деполяризации. - Активные виды кислорода: атомарный O_ads (очень реактивен) даёт глубокое окисление; более мягкие пероксидные/латентные O (на поддержке) способствуют селективной вставке. - Размер частиц и фасеты Pt: малые частицы и определённые граней (широкие ступеньки/координционно недостаточные атомы) усиливают C–H активацию и C–C расщепление; крупные/изолированные ансамбли — повышают селективность на частичную окисление. - Металло‑поддерживающее взаимодействие (MSI): редоксные носители (CeO2, TiO2) обеспечивают мобильный кислород (MvK) и смягчают реактивность, повышая селективность; кислотные/основные сайты поддержек влияют на реорганизацию и десорбцию интермедиатов. - Сплавление/добавки (Sn, Bi, Pb, Au): «разрежение» платиновых ансамблей (ensemble effect) подавляет многоточечные реакции (C–C разрыв), улучшая селективность к частичным продуктам. - Отношение O2/углеводород, парциальные давления, температура и контактное время: - Низкое отношение O2/углеводород и короткое время контакта смещают в сторону частичного окисления. - Повышение температуры обычно ускоряет скорость глубинного окисления (более высокая активационная энергия для частичных путей может требовать оптимального T). - Конкуренция адсорбции и покрытие поверхности: сильная адсорбция продуктов/CO/смол (кокс) блокирует активные центры, меняет пути; высокая загрузка O_ads увеличивает вероятность последующего окисления интермедиатов. - Массо‑ и теплотранспорт: локальные горячие точки и диффузионные ограничения приводят к локальной перенасыщенности O2 и полной минерализации. - Примеси и влага: вода может менять каталитическую поверхность (гидратация, блокирование сайтов) и влиять на кинетику; CO и S‑примеси отравляют Pt. 4) Выражение селективности и кинетика (формулы) - Селективность к продукту i: Si=ri∑jrjS_i = \frac{r_i}{\sum_j r_j}Si=∑jrjri
где rir_iri — скорость образования i‑го продукта. - Покрытие по Лангмюру: θ=KP1+KP\theta = \frac{K P}{1 + K P}θ=1+KPKP
где KKK — константа адсорбции, PPP — парциальное давление реагента. 5) Практические подходы для повышения селективности - Снижение O2O_2O2/углеводород и короткий контактный время. - Альлирование Pt (Sn, Bi, Au) для изоляции активных ансамблей. - Использование редоксных носителей (CeO2, MnOx) для контролируемого MvK‑механизма. - Контроль размеров частиц и фасетирования. - Операции при оптимальной температуре и подаче (импульсная подача O2, низкие локальные температуры). - Модификация поверхности (покрытие, промоторы), удаление примесей и предотвращение коксообразования. Резюме: селективность на платине определяется балансом между скоростями C–H активации, вставки кислорода и десорбции продукта, а также природой активного кислорода и структурой активных центров; управление поддержкой, составом катализатора и режимом работы позволяет смещать пути от полного окисления к желаемым частичным продуктам.
1) Основные реакционные пути
- Полное окисление (комбуcтия) до CO2 и H2O:
CxHy+(x+y4)O2→xCO2+y2H2O\text{C}_x\text{H}_y + \left(x+\tfrac{y}{4}\right)\text{O}_2 \to x\text{CO}_2 + \tfrac{y}{2}\text{H}_2\text{O}Cx Hy +(x+4y )O2 →xCO2 +2y H2 O - Частичное (селективное) окисление — образование спиртов, альдегидов, кетонов, кислот, эпоксидов:
например окисление этана в этилен (ODH) и этанол/ацетальдегид:
C2H6+12O2→C2H4+H2O\mathrm{C_2H_6 + \tfrac{1}{2}O_2 \to C_2H_4 + H_2O}C2 H6 +21 O2 →C2 H4 +H2 O C2H6+O2→C2H5OH (или) CH3CHO+H2O\mathrm{C_2H_6 + O_2 \to C_2H_5OH\ (или)\ CH_3CHO + H_2O}C2 H6 +O2 →C2 H5 OH (или) CH3 CHO+H2 O - Окислительное расщепление C–C (с образованием С1–Сn фрагментов) при агрессивных условиях.
2) Механизмы на поверхности Pt
- Langmuir–Hinshelwood (L–H): оба реагента адсорбированы и реагируют на поверхности:
R − H(ads)+O(ads)→R(ads)O+H(ads) \mathrm{R\!-\!H_{(ads)} + O_{(ads)} \to R_{(ads)}O + H_{(ads)} }R−H(ads) +O(ads) →R(ads) O+H(ads) - Eley–Rideal (E–R): газофазный реагент атакует адсорбированный вид.
- Mars–van Krevelen (MvK): окисление за счёт «подвижного» кислорода носителя (важно для оксидных поддержек):
R-H+Olattice→oxidized product+□+H2O\text{R-H} + O_{lattice} \to \text{oxidized product} + \Box + H_2OR-H+Olattice →oxidized product+□+H2 O затем восстановлённый носитель регенерируется O2.
Элементарные шаги: адсорбция R–H, активация C–H (образование алкильных/радикальных или алкоксидных видов), вставка кислорода (алькоксиды → карбонилы/спирты), бета‑гидридэлиминация/дегидрирование, десорбция продукта, дальнейшее окисление до CO/CO2.
3) Факторы, определяющие селективность
- Степень окисленности поверхности Pt (Pt^0 vs PtOx): окисленная поверхность активнее к полному окислению; металлическая — к десорбирующим продуктам/деполяризации.
- Активные виды кислорода: атомарный O_ads (очень реактивен) даёт глубокое окисление; более мягкие пероксидные/латентные O (на поддержке) способствуют селективной вставке.
- Размер частиц и фасеты Pt: малые частицы и определённые граней (широкие ступеньки/координционно недостаточные атомы) усиливают C–H активацию и C–C расщепление; крупные/изолированные ансамбли — повышают селективность на частичную окисление.
- Металло‑поддерживающее взаимодействие (MSI): редоксные носители (CeO2, TiO2) обеспечивают мобильный кислород (MvK) и смягчают реактивность, повышая селективность; кислотные/основные сайты поддержек влияют на реорганизацию и десорбцию интермедиатов.
- Сплавление/добавки (Sn, Bi, Pb, Au): «разрежение» платиновых ансамблей (ensemble effect) подавляет многоточечные реакции (C–C разрыв), улучшая селективность к частичным продуктам.
- Отношение O2/углеводород, парциальные давления, температура и контактное время:
- Низкое отношение O2/углеводород и короткое время контакта смещают в сторону частичного окисления.
- Повышение температуры обычно ускоряет скорость глубинного окисления (более высокая активационная энергия для частичных путей может требовать оптимального T).
- Конкуренция адсорбции и покрытие поверхности: сильная адсорбция продуктов/CO/смол (кокс) блокирует активные центры, меняет пути; высокая загрузка O_ads увеличивает вероятность последующего окисления интермедиатов.
- Массо‑ и теплотранспорт: локальные горячие точки и диффузионные ограничения приводят к локальной перенасыщенности O2 и полной минерализации.
- Примеси и влага: вода может менять каталитическую поверхность (гидратация, блокирование сайтов) и влиять на кинетику; CO и S‑примеси отравляют Pt.
4) Выражение селективности и кинетика (формулы)
- Селективность к продукту i:
Si=ri∑jrjS_i = \frac{r_i}{\sum_j r_j}Si =∑j rj ri где rir_iri — скорость образования i‑го продукта.
- Покрытие по Лангмюру:
θ=KP1+KP\theta = \frac{K P}{1 + K P}θ=1+KPKP где KKK — константа адсорбции, PPP — парциальное давление реагента.
5) Практические подходы для повышения селективности
- Снижение O2O_2O2 /углеводород и короткий контактный время.
- Альлирование Pt (Sn, Bi, Au) для изоляции активных ансамблей.
- Использование редоксных носителей (CeO2, MnOx) для контролируемого MvK‑механизма.
- Контроль размеров частиц и фасетирования.
- Операции при оптимальной температуре и подаче (импульсная подача O2, низкие локальные температуры).
- Модификация поверхности (покрытие, промоторы), удаление примесей и предотвращение коксообразования.
Резюме: селективность на платине определяется балансом между скоростями C–H активации, вставки кислорода и десорбции продукта, а также природой активного кислорода и структурой активных центров; управление поддержкой, составом катализатора и режимом работы позволяет смещать пути от полного окисления к желаемым частичным продуктам.