В данном случае можно рассмотреть несколько факторов, которые могут привести к эмиссии электронов с энергией выше ожидаемой при бомбардировке кристалла быстрыми протонами:

Эффект многократного ионизации: Быстрые протоны могут взаимодействовать с электронами в кристалле, вызывая множественную ионизацию. Это может приводить к образованию высокоэнергетических электронов, если несколько электронов выбрасываются в результате одного столкновения.

Зарядовая связь: Быстрые протоны могут инициировать процессы, сопровождающиеся перескоком энергии между уровнями внутри атома или молекулы, в результате чего электрон получает дополнительную энергию.

Вторичные эффекты: В процессе взаимодействия протонов с кристаллом могут возникать вторичные частицы (например, другие ионы или фотоны), которые могут дополнительно передавать энергию электронам.

Влияние кристаллической структуры: Кристаллическая решетка может влиять на движение электронов и их взаимодействие с ионизирующими частицами. Отклонения и особенности структуры могут привести к дополнительным каналам для высвобождения энергии.

Квазичастицы: В некоторых материалах существует возможность образования квазичастиц (например, экситонов или поляритонов), которые могут также вносить вклад в дополнительные энергетические уровни.

Радиативные процессы: Электроны могут также затрагиваться радиационными процессами, например, излучая фотоны или теряя энергию через другие механизмы, что может привести к неожиданным изменениям в их энергетическом состоянии.

Таким образом, для объяснения эмиссии высокоэнергетических электронов в результате бомбардировки кристалла протонами следует рассмотреть вышеуказанные аспекты и провести детальный анализ взаимодействий на микроуровне.