Рассмотрите фотоэлектрическую солнечную панель в реальных условиях: как температура, угловое положение, спектральный состав солнечного света и деградация материалов влияют на выходную мощность и КПД, и какие модели позволяют предсказать поведение массива в течение 20 лет
Температура, ориентация, спектр и деградация влияют на выход и КПД панели по разным физическим каналам. Ниже — кратко с ключевыми формулами и моделями, которые применяются для предсказания поведения массива на 20 лет. 1) Основная зависимая величина — электрическая мощность P=Vmp ImpP = V_{mp}\,I_{mp}P=VmpImp
и при приближённой оценке мощности модуля относительно STC часто используют P(G,T,θ,t)=PSTC GeffGSTC Mspec(T) IAM(θ) Ssoiling(t) D(t),P(G,T,\theta,t)=P_{STC}\,\frac{G_{\text{eff}}}{G_{STC}}\,M_{\text{spec}}(T)\,IAM(\theta)\,S_{\text{soiling}}(t)\,D(t),P(G,T,θ,t)=PSTCGSTCGeffMspec(T)IAM(θ)Ssoiling(t)D(t),
где GeffG_{\text{eff}}Geff — эффективная падающая мощность (W/m2^22), MspecM_{\text{spec}}Mspec — спектрально‑температурный множитель, IAM(θ)IAM(\theta)IAM(θ) — модификатор угла падения, SsoilingS_{\text{soiling}}Ssoiling — фактор потерь от загрязнения/заслонения, D(t)D(t)D(t) — деградация во времени. 2) Температура - Ток короткого замыкания почти пропорционален освещённости, а напряжение падает с ростом температуры. Для практических оценок используют температурный коэффициент мощности γ\gammaγ (обычно −0.2%-0.2\%−0.2% … −0.5%-0.5\%−0.5%/°C для кристаллического Si): η(Tc)=ηSTC[1+γ (Tc−25∘C)].\eta(T_c)=\eta_{STC}\bigl[1+\gamma\,(T_c-25^\circ C)\bigr].η(Tc)=ηSTC[1+γ(Tc−25∘C)].
- Связь температуры ячейки TcT_cTc с температурой воздуха TaT_aTa и освещённостью GGG через NOCT: Tc≈Ta+G800 (NOCT−20∘C).T_c \approx T_a + \frac{G}{800}\,(NOCT-20^\circ C).Tc≈Ta+800G(NOCT−20∘C).
- На уровне эквивалентной схемы изменение температуры учитывается через термальную зависимость тока насыщения I0I_0I0: I0(T)=I0,ref(TTref)3exp (−Egk(1T−1Tref)).I_0(T)=I_{0,ref}\left(\frac{T}{T_{ref}}\right)^3\exp\!\left(-\frac{E_g}{k}\Bigl(\frac{1}{T}-\frac{1}{T_{ref}}\Bigr)\right).I0(T)=I0,ref(TrefT)3exp(−kEg(T1−Tref1)). 3) Угол падения (AOI) - Прямая составляющая уменьшается по косинусу: Gbeam,inc=Gbcosθ.G_{beam,inc}=G_b\cos\theta.Gbeam,inc=Gbcosθ.
- Дополнительно — потери на отражение и просветление описывают через IAM: Geff=Gbeam,inc⋅IAM(θ)+Gdiffuse,inc.G_{\text{eff}}=G_{beam,inc}\cdot IAM(\theta)+G_{diffuse,inc}.Geff=Gbeam,inc⋅IAM(θ)+Gdiffuse,inc.
- Популярные подходы: эмпирический IAM (параметры под конкретное стекло/покрытие) или физические модели на основе закона Френеля. Часто используют форму: IAM(θ)=1−b1(1cosθ−1)−b2(1cosθ−1)2.IAM(\theta)=1-b_1\left(\frac{1}{\cos\theta}-1\right)-b_2\left(\frac{1}{\cos\theta}-1\right)^2.IAM(θ)=1−b1(cosθ1−1)−b2(cosθ1−1)2. 4) Спектральный состав - Короткозамкнутый ток пропорционален спектральному интегралу: Isc∝∫0∞Φ(λ) SR(λ) dλ,I_{sc}\propto\int_0^\infty \Phi(\lambda)\,SR(\lambda)\,d\lambda,Isc∝∫0∞Φ(λ)SR(λ)dλ,
где Φ(λ)\Phi(\lambda)Φ(λ) — спектральная плотность потока, SR(λ)SR(\lambda)SR(λ) — спектральная чувствительность модуля. - Спектральные изменения (air mass AM, облачность, аэрозоли) меняют IscI_{sc}Isc и, следовательно, выход. Для оценки используют коэффициент спектральной несходимости (mismatch factor) относительно эталона (AM1.5G). 5) Деградация материалов и долговременные эффекты - Основные механизмы: LID (light-induced degradation), PID (potential-induced degradation), термомеханические циклы (микотрещины), желтение/блокирование EVA, коррозия рам/соединений, ультрафиолетовое старение, загрязнение и частичное затенение. - Типичная динамика: ранний быстрый спад в первые месяцы (LID, часто 1%1\%1%–3%3\%3%), затем более медленная линейная или экспоненциальная деградация ddd (обычно 0.4%0.4\%0.4%-1.0%1.0\%1.0%/год для монокристаллического Si). - Простая модель экспоненциальной/линейной деградации: P(t)=P0(1−d)t(годовой линейный множитель),
P(t)=P_0(1-d)^t \quad\text{(годовой линейный множитель)}, P(t)=P0(1−d)t(годовойлинейныймножитель),
или с учётом начального LID: P(t)=P0(1−ΔLID) (1−d)t .
P(t)=P_0(1-\Delta_{LID})\,(1-d)^{t}\,. P(t)=P0(1−ΔLID)(1−d)t.
Пример: при d=0.5%d=0.5\%d=0.5% после 20 лет P(20)=P0(1−0.005)20≈0.905 P0P(20)=P_0(1-0.005)^{20}\approx 0.905\,P_0P(20)=P0(1−0.005)20≈0.905P0. 6) Эквивалентная электрическая модель (для точных расчётов) - Одно‑диодная модель I–V: I=Iph−I0(exp (V+IRsnVt)−1)−V+IRsRsh.
I=I_{ph}-I_0\Bigl(\exp\!\bigl(\tfrac{V+I R_s}{nV_t}\bigr)-1\Bigr)-\frac{V+I R_s}{R_{sh}}. I=Iph−I0(exp(nVtV+IRs)−1)−RshV+IRs.
Все параметры (Iph,I0,Rs,Rsh,nI_{ph},I_0,R_s,R_{sh},nIph,I0,Rs,Rsh,n) зависят от G,TG,TG,T и частично от спектра; из них рассчитывают рабочие точки Vmp,ImpV_{mp},I_{mp}Vmp,Imp и мощность. 7) Модели и инструменты для 20‑летних прогнозов - Инструменты: PVsyst, NREL SAM, PVLIB (python/Matlab), Sandia PV Array Performance Model (SAPM) — дают погодные/геометрические + насыщенную физику и эмпирику. - Подходы: одно‑диодная или SAPM для дневных профилей; термальный режим через NOCT или тепловые модели; спектральная коррекция по измеренной/смоделированной спектральной радиации; IAM и модели отражения; модели загрязнения/soiling по локальным данным. - Деградация: статистическая/эмпирическая модель (ранняя LID + годовой ddd) или более сложные стохастические/механистические модели (учёт PID, микотрещин). В проектировании часто используют консервативную ставку d≈0.5%–0.8%/годd\approx0.5\%–0.8\%/годd≈0.5%–0.8%/год для расчёта выходной энергии и гарантийных условий. - Нормирование и оценка: Performance Ratio (PR), сравнительные расчёты по климатическим данным (TMY/реальные измерения), верификация по полевым мониторингам. 8) Практические рекомендации для точного прогноза - Используйте метео‑/спектральные данные (TMY + локальные измерения) и корректируйте спектр по AM и погоде. - Подбирайте IAM и термальную модель под конкретную конструкцию (вентилируемая/не вентилируемая). - Включайте сценарий начального LID и годовой деградации; задавайте чувствительность (± вариация ddd). - Мониторинг в реальном времени для калибровки модели и обнаружения PID/механических дефектов. Коротко: температура понижает КПД (через γ\gammaγ), угол падения и отражение дают косинусные и IAM‑потери, спектр меняет IscI_{sc}Isc через интеграл спектра, деградация комбинируется из ранних и долгосрочных эффектов. Для 20‑летнего прогноза применяют одно‑диодные/сандианские модели + термальные/спектральные коррекции и эмпирическую модель деградации (P(t)=P0(1−ΔLID)(1−d)tP(t)=P_0(1-\Delta_{LID})(1-d)^tP(t)=P0(1−ΔLID)(1−d)t) с подбором параметров по типу технологии и данным мониторинга.
1) Основная зависимая величина — электрическая мощность
P=Vmp ImpP = V_{mp}\,I_{mp}P=Vmp Imp и при приближённой оценке мощности модуля относительно STC часто используют
P(G,T,θ,t)=PSTC GeffGSTC Mspec(T) IAM(θ) Ssoiling(t) D(t),P(G,T,\theta,t)=P_{STC}\,\frac{G_{\text{eff}}}{G_{STC}}\,M_{\text{spec}}(T)\,IAM(\theta)\,S_{\text{soiling}}(t)\,D(t),P(G,T,θ,t)=PSTC GSTC Geff Mspec (T)IAM(θ)Ssoiling (t)D(t), где GeffG_{\text{eff}}Geff — эффективная падающая мощность (W/m2^22), MspecM_{\text{spec}}Mspec — спектрально‑температурный множитель, IAM(θ)IAM(\theta)IAM(θ) — модификатор угла падения, SsoilingS_{\text{soiling}}Ssoiling — фактор потерь от загрязнения/заслонения, D(t)D(t)D(t) — деградация во времени.
2) Температура
- Ток короткого замыкания почти пропорционален освещённости, а напряжение падает с ростом температуры. Для практических оценок используют температурный коэффициент мощности γ\gammaγ (обычно −0.2%-0.2\%−0.2% … −0.5%-0.5\%−0.5%/°C для кристаллического Si):
η(Tc)=ηSTC[1+γ (Tc−25∘C)].\eta(T_c)=\eta_{STC}\bigl[1+\gamma\,(T_c-25^\circ C)\bigr].η(Tc )=ηSTC [1+γ(Tc −25∘C)]. - Связь температуры ячейки TcT_cTc с температурой воздуха TaT_aTa и освещённостью GGG через NOCT:
Tc≈Ta+G800 (NOCT−20∘C).T_c \approx T_a + \frac{G}{800}\,(NOCT-20^\circ C).Tc ≈Ta +800G (NOCT−20∘C). - На уровне эквивалентной схемы изменение температуры учитывается через термальную зависимость тока насыщения I0I_0I0 :
I0(T)=I0,ref(TTref)3exp (−Egk(1T−1Tref)).I_0(T)=I_{0,ref}\left(\frac{T}{T_{ref}}\right)^3\exp\!\left(-\frac{E_g}{k}\Bigl(\frac{1}{T}-\frac{1}{T_{ref}}\Bigr)\right).I0 (T)=I0,ref (Tref T )3exp(−kEg (T1 −Tref 1 )).
3) Угол падения (AOI)
- Прямая составляющая уменьшается по косинусу:
Gbeam,inc=Gbcosθ.G_{beam,inc}=G_b\cos\theta.Gbeam,inc =Gb cosθ. - Дополнительно — потери на отражение и просветление описывают через IAM:
Geff=Gbeam,inc⋅IAM(θ)+Gdiffuse,inc.G_{\text{eff}}=G_{beam,inc}\cdot IAM(\theta)+G_{diffuse,inc}.Geff =Gbeam,inc ⋅IAM(θ)+Gdiffuse,inc . - Популярные подходы: эмпирический IAM (параметры под конкретное стекло/покрытие) или физические модели на основе закона Френеля. Часто используют форму:
IAM(θ)=1−b1(1cosθ−1)−b2(1cosθ−1)2.IAM(\theta)=1-b_1\left(\frac{1}{\cos\theta}-1\right)-b_2\left(\frac{1}{\cos\theta}-1\right)^2.IAM(θ)=1−b1 (cosθ1 −1)−b2 (cosθ1 −1)2.
4) Спектральный состав
- Короткозамкнутый ток пропорционален спектральному интегралу:
Isc∝∫0∞Φ(λ) SR(λ) dλ,I_{sc}\propto\int_0^\infty \Phi(\lambda)\,SR(\lambda)\,d\lambda,Isc ∝∫0∞ Φ(λ)SR(λ)dλ, где Φ(λ)\Phi(\lambda)Φ(λ) — спектральная плотность потока, SR(λ)SR(\lambda)SR(λ) — спектральная чувствительность модуля.
- Спектральные изменения (air mass AM, облачность, аэрозоли) меняют IscI_{sc}Isc и, следовательно, выход. Для оценки используют коэффициент спектральной несходимости (mismatch factor) относительно эталона (AM1.5G).
5) Деградация материалов и долговременные эффекты
- Основные механизмы: LID (light-induced degradation), PID (potential-induced degradation), термомеханические циклы (микотрещины), желтение/блокирование EVA, коррозия рам/соединений, ультрафиолетовое старение, загрязнение и частичное затенение.
- Типичная динамика: ранний быстрый спад в первые месяцы (LID, часто 1%1\%1%–3%3\%3%), затем более медленная линейная или экспоненциальная деградация ddd (обычно 0.4%0.4\%0.4%-1.0%1.0\%1.0%/год для монокристаллического Si).
- Простая модель экспоненциальной/линейной деградации:
P(t)=P0(1−d)t(годовой линейный множитель), P(t)=P_0(1-d)^t \quad\text{(годовой линейный множитель)},
P(t)=P0 (1−d)t(годовой линейный множитель), или с учётом начального LID:
P(t)=P0(1−ΔLID) (1−d)t . P(t)=P_0(1-\Delta_{LID})\,(1-d)^{t}\,.
P(t)=P0 (1−ΔLID )(1−d)t. Пример: при d=0.5%d=0.5\%d=0.5% после 20 лет P(20)=P0(1−0.005)20≈0.905 P0P(20)=P_0(1-0.005)^{20}\approx 0.905\,P_0P(20)=P0 (1−0.005)20≈0.905P0 .
6) Эквивалентная электрическая модель (для точных расчётов)
- Одно‑диодная модель I–V:
I=Iph−I0(exp (V+IRsnVt)−1)−V+IRsRsh. I=I_{ph}-I_0\Bigl(\exp\!\bigl(\tfrac{V+I R_s}{nV_t}\bigr)-1\Bigr)-\frac{V+I R_s}{R_{sh}}.
I=Iph −I0 (exp(nVt V+IRs )−1)−Rsh V+IRs . Все параметры (Iph,I0,Rs,Rsh,nI_{ph},I_0,R_s,R_{sh},nIph ,I0 ,Rs ,Rsh ,n) зависят от G,TG,TG,T и частично от спектра; из них рассчитывают рабочие точки Vmp,ImpV_{mp},I_{mp}Vmp ,Imp и мощность.
7) Модели и инструменты для 20‑летних прогнозов
- Инструменты: PVsyst, NREL SAM, PVLIB (python/Matlab), Sandia PV Array Performance Model (SAPM) — дают погодные/геометрические + насыщенную физику и эмпирику.
- Подходы: одно‑диодная или SAPM для дневных профилей; термальный режим через NOCT или тепловые модели; спектральная коррекция по измеренной/смоделированной спектральной радиации; IAM и модели отражения; модели загрязнения/soiling по локальным данным.
- Деградация: статистическая/эмпирическая модель (ранняя LID + годовой ddd) или более сложные стохастические/механистические модели (учёт PID, микотрещин). В проектировании часто используют консервативную ставку d≈0.5%–0.8%/годd\approx0.5\%–0.8\%/годd≈0.5%–0.8%/год для расчёта выходной энергии и гарантийных условий.
- Нормирование и оценка: Performance Ratio (PR), сравнительные расчёты по климатическим данным (TMY/реальные измерения), верификация по полевым мониторингам.
8) Практические рекомендации для точного прогноза
- Используйте метео‑/спектральные данные (TMY + локальные измерения) и корректируйте спектр по AM и погоде.
- Подбирайте IAM и термальную модель под конкретную конструкцию (вентилируемая/не вентилируемая).
- Включайте сценарий начального LID и годовой деградации; задавайте чувствительность (± вариация ddd).
- Мониторинг в реальном времени для калибровки модели и обнаружения PID/механических дефектов.
Коротко: температура понижает КПД (через γ\gammaγ), угол падения и отражение дают косинусные и IAM‑потери, спектр меняет IscI_{sc}Isc через интеграл спектра, деградация комбинируется из ранних и долгосрочных эффектов. Для 20‑летнего прогноза применяют одно‑диодные/сандианские модели + термальные/спектральные коррекции и эмпирическую модель деградации (P(t)=P0(1−ΔLID)(1−d)tP(t)=P_0(1-\Delta_{LID})(1-d)^tP(t)=P0 (1−ΔLID )(1−d)t) с подбором параметров по типу технологии и данным мониторинга.