Кейс: рядом с металлической пластиной проходит переменный ток в длинном проводнике — какие вихревые токи возникают в пластине, какие силы действуют и как зависит торможение поля от проводимости и частоты
Кратко и по сути (геометрия: длинный прямой проводник параллелен большой тонкой металлической пластине на расстоянии ddd; ток в проводнике I(t)=I0cos(ωt)I(t)=I_0\cos(\omega t)I(t)=I0cos(ωt)). 1) Поле от провода Bφ(r,t)=μ0I(t)2πr
B_\varphi(r,t)=\frac{\mu_0 I(t)}{2\pi r} Bφ(r,t)=2πrμ0I(t)
(стороны кружатся вокруг провода; rrr — расстояние от оси провода). 2) Вихревые токи в пластине - Изменяющееся BBB создаёт циркулирующее электрическое поле по закону Фарадея: ∮E⋅dl=−dΦdt.
\oint \mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=-\frac{d\Phi}{dt}. ∮E⋅dl=−dtdΦ.
Для кольца радиуса RRR (на плоскости пластины) поток на единицу длины вдоль провода Φ(R,t)=∫r0RBφ(r,t) dr=μ0I(t)2πlnRr0,
\Phi(R,t)=\int_{r_0}^{R} B_\varphi(r,t)\,dr=\frac{\mu_0 I(t)}{2\pi}\ln\frac{R}{r_0}, Φ(R,t)=∫r0RBφ(r,t)dr=2πμ0I(t)lnr0R,
поэтому вызываемая ЭДС (на единицу длины) и тангенциальное поле приблизительно E(R)=−Φ˙(R)=−μ0I˙2πlnRr0,Eθ(R)≈E2πR.
\mathcal{E}(R)=-\dot\Phi(R)=-\frac{\mu_0\dot I}{2\pi}\ln\frac{R}{r_0},\qquad E_\theta(R)\approx\frac{\mathcal{E}}{2\pi R}. E(R)=−Φ˙(R)=−2πμ0I˙lnr0R,Eθ(R)≈2πRE.
- Токи в материале (Омов закон) J=σE\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E}J=σE. Следовательно в пластине возникают замкнутые «кольцевые» вихревые токи, концентрирующиеся вокруг проекции провода. 3) Силы и торможение - Лоренцова сила на элемент объёма пластины f=J×B.
\mathbf{f}=\mathbf{J}\times\mathbf{B}. f=J×B.
Векторная композиция даёт нормальную (притягивающую/отталкивающую в зависимости от фазы) и тангенциальную составляющие; при синусоидальном токе средняя во времени реактивная часть даёт фазовую (индуктивную) силу, а диссипативная часть — реальное торможение (усвоение энергии в виде тепла). - Приближённая оценка силы на единицу длины (масштабно) F′∼∫JB dA∼JB V∼(σE)B V,
F' \sim \int J B\,dA \sim J B\,V \sim (\sigma E)B\,V, F′∼∫JBdA∼JBV∼(σE)BV,
где E∼ωBLE\sim \omega B LE∼ωBL (оценочно), VVV — объём, задействованный токами. Подставляя BBB от провода, получаем скейлинг F′∝σ ω B2×(объём)F'\propto\sigma\,\omega\,B^2\times(\text{объём})F′∝σωB2×(объём). В частности, для гармонического тока тормозящая сила связана со сочетаниями II˙I\dot III˙ и усредняется в диссипативной части. 4) Зависимость от проводимости σ\sigmaσ и частоты ω\omegaω (два режима) - Вводная величина — толщина скин-слоя δ=2μσω.
\delta=\sqrt{\frac{2}{\mu\sigma\omega}}. δ=μσω2.
a) Низкие частоты / тонкая пластина (t≪δt\ll\deltat≪δ): токи распределены по всей толщине. Тогда KKK (ток на единицу ширины) ∼σtE\sim\sigma t E∼σtE, потери на единицу объёма ∼J2/σ\sim J^2/\sigma∼J2/σ даёт мощность рассеяния (и тормозящую составляющую) примерно пропорциональную P∼σt ω2B2L2,
P\sim\sigma t\,\omega^2 B^2 L^2, P∼σtω2B2L2,
то есть при прочих равных торможение растёт с σ\sigmaσ и с ω2\omega^2ω2 (линейно по σ\sigmaσ в этой области). b) Высокие частоты / толстая пластина (δ≪t\delta\ll tδ≪t): токи сосредоточены в слое толщиной ∼δ\sim\delta∼δ. Эффективный объём ∝δ\deltaδ, поэтому мощность и торможение масштабируются как P∼σE2δ.
P\sim\sigma E^2\delta. P∼σE2δ.
Подставляя δ∝(σω)−1/2\delta\propto(\sigma\omega)^{-1/2}δ∝(σω)−1/2 и E∼ωBE\sim\omega BE∼ωB, получаем приближённый скейлинг P∝σ ω3/2B2.
P\propto \sqrt{\sigma}\,\omega^{3/2} B^2. P∝σω3/2B2.
Таким образом при росте σ\sigmaσ в этой области эффект растёт медленнее, чем линейно (из-за уменьшения δ\deltaδ). c) Предел идеального проводника (σ→∞\sigma\to\inftyσ→∞): поле на поверхности полностью компенсируется индуцированными токами (реактивный ответ), рассеяние энергии→0, тормозящая часть чисто реактивна (нет тепловых потерь). 5) Фазовые соображения - Индуктивная часть индуцированных токов даёт смещённую по фазе силу (реактивную, не рассеивающую энергию), а резистивная часть (проекция тока на фазу поля) отвечает за потери и реальное торможение. Для гармонического тока средняя по времени рассеянная мощность пропорциональна компоненте JJJ в фазе с EEE. Короткий итог: в пластине возникают замкнутые кольцевые вихревые токи вокруг проекции провода; они создают силу J×B \mathbf{J}\times\mathbf{B} J×B, дающую притягивание/торможение, причём в низкочастотном/тонком-слое торможение растёт примерно пропорционально σ\sigmaσ и ω2\omega^2ω2, а в высокочастотном/толстом-слое скин-эффект меняет масштаб до примерно ∝σ ω3/2\propto\sqrt{\sigma}\,\omega^{3/2}∝σω3/2 (приближённо).
1) Поле от провода
Bφ(r,t)=μ0I(t)2πr B_\varphi(r,t)=\frac{\mu_0 I(t)}{2\pi r}
Bφ (r,t)=2πrμ0 I(t) (стороны кружатся вокруг провода; rrr — расстояние от оси провода).
2) Вихревые токи в пластине
- Изменяющееся BBB создаёт циркулирующее электрическое поле по закону Фарадея:
∮E⋅dl=−dΦdt. \oint \mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}=-\frac{d\Phi}{dt}.
∮E⋅dl=−dtdΦ . Для кольца радиуса RRR (на плоскости пластины) поток на единицу длины вдоль провода
Φ(R,t)=∫r0RBφ(r,t) dr=μ0I(t)2πlnRr0, \Phi(R,t)=\int_{r_0}^{R} B_\varphi(r,t)\,dr=\frac{\mu_0 I(t)}{2\pi}\ln\frac{R}{r_0},
Φ(R,t)=∫r0 R Bφ (r,t)dr=2πμ0 I(t) lnr0 R , поэтому вызываемая ЭДС (на единицу длины) и тангенциальное поле приблизительно
E(R)=−Φ˙(R)=−μ0I˙2πlnRr0,Eθ(R)≈E2πR. \mathcal{E}(R)=-\dot\Phi(R)=-\frac{\mu_0\dot I}{2\pi}\ln\frac{R}{r_0},\qquad
E_\theta(R)\approx\frac{\mathcal{E}}{2\pi R}.
E(R)=−Φ˙(R)=−2πμ0 I˙ lnr0 R ,Eθ (R)≈2πRE . - Токи в материале (Омов закон) J=σE\mathbf{J}=\sigma\mathbf{E}J=σE. Следовательно в пластине возникают замкнутые «кольцевые» вихревые токи, концентрирующиеся вокруг проекции провода.
3) Силы и торможение
- Лоренцова сила на элемент объёма пластины
f=J×B. \mathbf{f}=\mathbf{J}\times\mathbf{B}.
f=J×B. Векторная композиция даёт нормальную (притягивающую/отталкивающую в зависимости от фазы) и тангенциальную составляющие; при синусоидальном токе средняя во времени реактивная часть даёт фазовую (индуктивную) силу, а диссипативная часть — реальное торможение (усвоение энергии в виде тепла).
- Приближённая оценка силы на единицу длины (масштабно)
F′∼∫JB dA∼JB V∼(σE)B V, F' \sim \int J B\,dA \sim J B\,V \sim (\sigma E)B\,V,
F′∼∫JBdA∼JBV∼(σE)BV, где E∼ωBLE\sim \omega B LE∼ωBL (оценочно), VVV — объём, задействованный токами. Подставляя BBB от провода, получаем скейлинг F′∝σ ω B2×(объём)F'\propto\sigma\,\omega\,B^2\times(\text{объём})F′∝σωB2×(объём). В частности, для гармонического тока тормозящая сила связана со сочетаниями II˙I\dot III˙ и усредняется в диссипативной части.
4) Зависимость от проводимости σ\sigmaσ и частоты ω\omegaω (два режима)
- Вводная величина — толщина скин-слоя
δ=2μσω. \delta=\sqrt{\frac{2}{\mu\sigma\omega}}.
δ=μσω2 . a) Низкие частоты / тонкая пластина (t≪δt\ll\deltat≪δ): токи распределены по всей толщине. Тогда KKK (ток на единицу ширины) ∼σtE\sim\sigma t E∼σtE, потери на единицу объёма ∼J2/σ\sim J^2/\sigma∼J2/σ даёт мощность рассеяния (и тормозящую составляющую) примерно пропорциональную
P∼σt ω2B2L2, P\sim\sigma t\,\omega^2 B^2 L^2,
P∼σtω2B2L2, то есть при прочих равных торможение растёт с σ\sigmaσ и с ω2\omega^2ω2 (линейно по σ\sigmaσ в этой области).
b) Высокие частоты / толстая пластина (δ≪t\delta\ll tδ≪t): токи сосредоточены в слое толщиной ∼δ\sim\delta∼δ. Эффективный объём ∝δ\deltaδ, поэтому мощность и торможение масштабируются как
P∼σE2δ. P\sim\sigma E^2\delta.
P∼σE2δ. Подставляя δ∝(σω)−1/2\delta\propto(\sigma\omega)^{-1/2}δ∝(σω)−1/2 и E∼ωBE\sim\omega BE∼ωB, получаем приближённый скейлинг
P∝σ ω3/2B2. P\propto \sqrt{\sigma}\,\omega^{3/2} B^2.
P∝σ ω3/2B2. Таким образом при росте σ\sigmaσ в этой области эффект растёт медленнее, чем линейно (из-за уменьшения δ\deltaδ).
c) Предел идеального проводника (σ→∞\sigma\to\inftyσ→∞): поле на поверхности полностью компенсируется индуцированными токами (реактивный ответ), рассеяние энергии→0, тормозящая часть чисто реактивна (нет тепловых потерь).
5) Фазовые соображения
- Индуктивная часть индуцированных токов даёт смещённую по фазе силу (реактивную, не рассеивающую энергию), а резистивная часть (проекция тока на фазу поля) отвечает за потери и реальное торможение. Для гармонического тока средняя по времени рассеянная мощность пропорциональна компоненте JJJ в фазе с EEE.
Короткий итог: в пластине возникают замкнутые кольцевые вихревые токи вокруг проекции провода; они создают силу J×B \mathbf{J}\times\mathbf{B} J×B, дающую притягивание/торможение, причём в низкочастотном/тонком-слое торможение растёт примерно пропорционально σ\sigmaσ и ω2\omega^2ω2, а в высокочастотном/толстом-слое скин-эффект меняет масштаб до примерно ∝σ ω3/2\propto\sqrt{\sigma}\,\omega^{3/2}∝σ ω3/2 (приближённо).