Коротко и по делу. 1) Основное условие (плазменная частота). - Плазма имеет собственную частоту электронных колебаний ωp=nee2meε0,fp=ωp2π≈8.98×103ne,
\omega_p=\sqrt{\frac{n_e e^2}{m_e\varepsilon_0}}, \qquad f_p=\frac{\omega_p}{2\pi}\approx 8.98\times10^3\sqrt{n_e}, ωp=meε0nee2,fp=2πωp≈8.98×103ne,
где nen_ene — плотность электронов (в cm−3\mathrm{cm^{-3}}cm−3 при приведённой числовой формуле), fpf_pfp в Гц. 2) Простая модель без магнитного поля и без столкновений. - Диэлектрическая проницаемость даёт показатель преломления n2=1−ωp2ω2.
n^2=1-\frac{\omega_p^2}{\omega^2}. n2=1−ω2ωp2.
- Если n2<0n^2<0n2<0 (т.е. ω<ωp\omega<\omega_pω<ωp или f<fpf<f_pf<fp), волна не имеет продольной волновой компоненты в плазме и отражается. Если ω>ωp\omega>\omega_pω>ωp, волна проникает (рефракция и распространение). 3) Градиент плотности (реальная ионосфера). - При изменяющейся ne(z)n_e(z)ne(z) волна постепенно замедляется; точка отражения (turning point) определяется условием ω=ωp(z)\omega=\omega_p(z)ω=ωp(z). Для наклонного падения повышается эффективный порог — максимальная используемая частота (MUF) MUF=fcsecθ,
\mathrm{MUF}=f_c\sec\theta, MUF=fcsecθ,
где fcf_cfc — критическая (вертикальная) частота, θ\thetaθ — угол между направлением распространения и вертикалью. 4) Влияние столкновений (поглощение). - При наличии частоты столкновений ν\nuν диэлектрическая функция становится комплексной: ε(ω)=1−ωp2ω(ω+iν).
\varepsilon(\omega)=1-\frac{\omega_p^2}{\omega(\omega+i\nu)}. ε(ω)=1−ω(ω+iν)ωp2.
- Это даёт комплексный nnn и экспоненциальное затухание; при больших ν/ω\nu/\omegaν/ω значительная часть энергии поглощается (важно в D-слое днём — поглощение КВ). 5) Влияние магнитного поля (анизотропия, моды). - В магнитном поле вводится циклотронная частота электрона ωB=eBme.
\omega_B=\frac{eB}{m_e}. ωB=meeB.
- Возникают две поляризационные моды (O- и X-мода) с разными срезами и резонансами. O-мода имеет срез близко к ωp\omega_pωp; X-мода подвержена дополнительным срезам/резонансам (например, верхне-гибридная частота ωuh=ωp2+ωB2\omega_{uh}=\sqrt{\omega_p^2+\omega_B^2}ωuh=ωp2+ωB2), возможна сильная зависимость от угла между k\mathbf{k}k и B\mathbf{B}B, фарфадеева ротация и др. 6) Практические выводы для радиосвязи. - Если частота радиоволн ниже локальной плазменной частоты слоя — отражение; выше — прохождение. - Для HF (несколько МГц) ионосферные слои часто отражают волны (обеспечивают дальнюю связь); VHF/UHF обычно проходят сквозь ионосферу, за исключением аномалий (sporadic E) или очень высокой ионизации. - Учет угла падения (MUF), столкновений (поглощение в D-слое) и магнитного поля (сплит мод, поляризация) обязателен для точной оценки отражения/прохождения. Если нужно, могу дать выражение Appleton–Hartree для n2n^2n2 с обозначениями X=ωp2/ω2, Y=ωB/ω, Z=ν/ωX=\omega_p^2/\omega^2,\;Y=\omega_B/\omega,\;Z=\nu/\omegaX=ωp2/ω2,Y=ωB/ω,Z=ν/ω.
1) Основное условие (плазменная частота).
- Плазма имеет собственную частоту электронных колебаний
ωp=nee2meε0,fp=ωp2π≈8.98×103ne, \omega_p=\sqrt{\frac{n_e e^2}{m_e\varepsilon_0}},
\qquad f_p=\frac{\omega_p}{2\pi}\approx 8.98\times10^3\sqrt{n_e},
ωp =me ε0 ne e2 ,fp =2πωp ≈8.98×103ne , где nen_ene — плотность электронов (в cm−3\mathrm{cm^{-3}}cm−3 при приведённой числовой формуле), fpf_pfp в Гц.
2) Простая модель без магнитного поля и без столкновений.
- Диэлектрическая проницаемость даёт показатель преломления
n2=1−ωp2ω2. n^2=1-\frac{\omega_p^2}{\omega^2}.
n2=1−ω2ωp2 . - Если n2<0n^2<0n2<0 (т.е. ω<ωp\omega<\omega_pω<ωp или f<fpf<f_pf<fp ), волна не имеет продольной волновой компоненты в плазме и отражается. Если ω>ωp\omega>\omega_pω>ωp , волна проникает (рефракция и распространение).
3) Градиент плотности (реальная ионосфера).
- При изменяющейся ne(z)n_e(z)ne (z) волна постепенно замедляется; точка отражения (turning point) определяется условием ω=ωp(z)\omega=\omega_p(z)ω=ωp (z). Для наклонного падения повышается эффективный порог — максимальная используемая частота (MUF)
MUF=fcsecθ, \mathrm{MUF}=f_c\sec\theta,
MUF=fc secθ, где fcf_cfc — критическая (вертикальная) частота, θ\thetaθ — угол между направлением распространения и вертикалью.
4) Влияние столкновений (поглощение).
- При наличии частоты столкновений ν\nuν диэлектрическая функция становится комплексной:
ε(ω)=1−ωp2ω(ω+iν). \varepsilon(\omega)=1-\frac{\omega_p^2}{\omega(\omega+i\nu)}.
ε(ω)=1−ω(ω+iν)ωp2 . - Это даёт комплексный nnn и экспоненциальное затухание; при больших ν/ω\nu/\omegaν/ω значительная часть энергии поглощается (важно в D-слое днём — поглощение КВ).
5) Влияние магнитного поля (анизотропия, моды).
- В магнитном поле вводится циклотронная частота электрона
ωB=eBme. \omega_B=\frac{eB}{m_e}.
ωB =me eB . - Возникают две поляризационные моды (O- и X-мода) с разными срезами и резонансами. O-мода имеет срез близко к ωp\omega_pωp ; X-мода подвержена дополнительным срезам/резонансам (например, верхне-гибридная частота ωuh=ωp2+ωB2\omega_{uh}=\sqrt{\omega_p^2+\omega_B^2}ωuh =ωp2 +ωB2 ), возможна сильная зависимость от угла между k\mathbf{k}k и B\mathbf{B}B, фарфадеева ротация и др.
6) Практические выводы для радиосвязи.
- Если частота радиоволн ниже локальной плазменной частоты слоя — отражение; выше — прохождение.
- Для HF (несколько МГц) ионосферные слои часто отражают волны (обеспечивают дальнюю связь); VHF/UHF обычно проходят сквозь ионосферу, за исключением аномалий (sporadic E) или очень высокой ионизации.
- Учет угла падения (MUF), столкновений (поглощение в D-слое) и магнитного поля (сплит мод, поляризация) обязателен для точной оценки отражения/прохождения.
Если нужно, могу дать выражение Appleton–Hartree для n2n^2n2 с обозначениями X=ωp2/ω2, Y=ωB/ω, Z=ν/ωX=\omega_p^2/\omega^2,\;Y=\omega_B/\omega,\;Z=\nu/\omegaX=ωp2 /ω2,Y=ωB /ω,Z=ν/ω.