Приближённый кейс: медленная зарядка конденсатора через резистор — оцените, как изменение температуры резистора влияет на время заряда и итоговую энергию, учитывая температурную зависимость сопротивления
Кратко — основное влияние температуры сводится к изменению временной постоянной, а итоговая энергия на конденсаторе при зарядке от идеального источника не зависит от сопротивления. Детали и формулы: - Темперазависимость сопротивления (линейная аппроксимация): R(T)=R0(1+α(T−T0)),
R(T)=R_0\bigl(1+\alpha(T-T_0)\bigr), R(T)=R0(1+α(T−T0)),
где α\alphaα — температурный коэффициент сопротивления. - Временная постоянная цепи: τ(T)=R(T)C=R0C(1+α(T−T0)).
\tau(T)=R(T)C=R_0C\bigl(1+\alpha(T-T_0)\bigr). τ(T)=R(T)C=R0C(1+α(T−T0)).
Отсюда относительное изменение времени заряда: Δττ0≈αΔT.
\frac{\Delta\tau}{\tau_0}\approx\alpha\Delta T. τ0Δτ≈αΔT.
Пример: при α=4⋅10−3 K−1\alpha=4\cdot10^{-3}\,\text{K}^{-1}α=4⋅10−3K−1 и ΔT=50 K\Delta T=50\ \text{K}ΔT=50Kτ\tauτ увеличится примерно на 20%20\%20%. - Форма заряда при медленном (и вообще при любом) R(t)R(t)R(t): для произвольного медленно меняющегося R(t)R(t)R(t)vC(t)=V(1−exp(−∫0tdt′R(t′)C)),
v_C(t)=V\Bigl(1-\exp\Big(-\int_0^t\frac{dt'}{R(t')C}\Big)\Bigr), vC(t)=V(1−exp(−∫0tR(t′)Cdt′)),
что в случае постоянного RRR даёт привычный vC(t)=V(1−e−t/RC)v_C(t)=V(1-e^{-t/RC})vC(t)=V(1−e−t/RC). - Энергия, запасённая в конденсаторе, не зависит от RRR (при идеальном источнике): EC=12CV2.
E_C=\tfrac{1}{2}CV^2. EC=21CV2.
Общая энергия, выданная источником, равна CV2CV^2CV2, а рассеянная на резисторе — 12CV2\tfrac{1}{2}CV^221CV2, также независима от RRR. - Саморазогрев резистора: хотя суммарная рассеиваемая энергия фиксирована, она может повысить TTT резистора и тем самым изменить RRR. Оценка подъёма температуры при полном рассеянии энергии Ediss=12CV2E_{diss}=\tfrac{1}{2}CV^2Ediss=21CV2 для резистора массы mmm и удельной теплоёмкости ccc: ΔT≈Edissmc.
\Delta T\approx\frac{E_{diss}}{m c}. ΔT≈mcEdiss.
Пример: C=100 μF, V=5 V⇒Ediss≈1.25⋅10−3 JC=100\ \mu\text{F},\ V=5\ \text{V}\Rightarrow E_{diss}\approx1.25\cdot10^{-3}\ \text{J}C=100μF,V=5V⇒Ediss≈1.25⋅10−3J. Для массы 0.1 g0.1\ \text{g}0.1g и \(c\approx385\ \text{J/(kg·K)}\) даёт ΔT∼0.03 K\Delta T\sim0.03\ \text{K}ΔT∼0.03K — практически ноль. Для больших C и V тепловой эффект может быть заметен и тогда через α\alphaα ещё сильнее изменить τ\tauτ. - Неточности и исключения: если источник не идеален (внутренняя последовательная R_s) или резистор — нелинейный термистор/НЧТС, то итоговая энергия и динамика могут отличаться; при быстром значительном самонагреве нужно решать совместно электрическую и тепловую динамику. Коротко: при положительном α\alphaα повышение температуры пропорционально увеличивает τ\tauτ (ускоряет/замедляет заряд), а запасённая энергия остаётся 12CV2\tfrac{1}{2}CV^221CV2; влияние через самонагрев обычно мало для типичных малых конденсаторов, но может стать существенным при больших энергиях или при специализированных резисторах.
Детали и формулы:
- Темперазависимость сопротивления (линейная аппроксимация):
R(T)=R0(1+α(T−T0)), R(T)=R_0\bigl(1+\alpha(T-T_0)\bigr),
R(T)=R0 (1+α(T−T0 )), где α\alphaα — температурный коэффициент сопротивления.
- Временная постоянная цепи:
τ(T)=R(T)C=R0C(1+α(T−T0)). \tau(T)=R(T)C=R_0C\bigl(1+\alpha(T-T_0)\bigr).
τ(T)=R(T)C=R0 C(1+α(T−T0 )). Отсюда относительное изменение времени заряда:
Δττ0≈αΔT. \frac{\Delta\tau}{\tau_0}\approx\alpha\Delta T.
τ0 Δτ ≈αΔT. Пример: при α=4⋅10−3 K−1\alpha=4\cdot10^{-3}\,\text{K}^{-1}α=4⋅10−3K−1 и ΔT=50 K\Delta T=50\ \text{K}ΔT=50 K τ\tauτ увеличится примерно на 20%20\%20%.
- Форма заряда при медленном (и вообще при любом) R(t)R(t)R(t): для произвольного медленно меняющегося R(t)R(t)R(t) vC(t)=V(1−exp(−∫0tdt′R(t′)C)), v_C(t)=V\Bigl(1-\exp\Big(-\int_0^t\frac{dt'}{R(t')C}\Big)\Bigr),
vC (t)=V(1−exp(−∫0t R(t′)Cdt′ )), что в случае постоянного RRR даёт привычный vC(t)=V(1−e−t/RC)v_C(t)=V(1-e^{-t/RC})vC (t)=V(1−e−t/RC).
- Энергия, запасённая в конденсаторе, не зависит от RRR (при идеальном источнике):
EC=12CV2. E_C=\tfrac{1}{2}CV^2.
EC =21 CV2. Общая энергия, выданная источником, равна CV2CV^2CV2, а рассеянная на резисторе — 12CV2\tfrac{1}{2}CV^221 CV2, также независима от RRR.
- Саморазогрев резистора: хотя суммарная рассеиваемая энергия фиксирована, она может повысить TTT резистора и тем самым изменить RRR. Оценка подъёма температуры при полном рассеянии энергии Ediss=12CV2E_{diss}=\tfrac{1}{2}CV^2Ediss =21 CV2 для резистора массы mmm и удельной теплоёмкости ccc:
ΔT≈Edissmc. \Delta T\approx\frac{E_{diss}}{m c}.
ΔT≈mcEdiss . Пример: C=100 μF, V=5 V⇒Ediss≈1.25⋅10−3 JC=100\ \mu\text{F},\ V=5\ \text{V}\Rightarrow E_{diss}\approx1.25\cdot10^{-3}\ \text{J}C=100 μF, V=5 V⇒Ediss ≈1.25⋅10−3 J. Для массы 0.1 g0.1\ \text{g}0.1 g и \(c\approx385\ \text{J/(kg·K)}\) даёт ΔT∼0.03 K\Delta T\sim0.03\ \text{K}ΔT∼0.03 K — практически ноль. Для больших C и V тепловой эффект может быть заметен и тогда через α\alphaα ещё сильнее изменить τ\tauτ.
- Неточности и исключения: если источник не идеален (внутренняя последовательная R_s) или резистор — нелинейный термистор/НЧТС, то итоговая энергия и динамика могут отличаться; при быстром значительном самонагреве нужно решать совместно электрическую и тепловую динамику.
Коротко: при положительном α\alphaα повышение температуры пропорционально увеличивает τ\tauτ (ускоряет/замедляет заряд), а запасённая энергия остаётся 12CV2\tfrac{1}{2}CV^221 CV2; влияние через самонагрев обычно мало для типичных малых конденсаторов, но может стать существенным при больших энергиях или при специализированных резисторах.