Гальванический элемент с ртутным анодом можно составить, например, следующим образом:

Анод: Hg | Hg2+ $0.01M$ || Cu2+ $1M$ | Cu

ЭДС данного элемента в стандартных условиях можно вычислить по формуле Нернста:

E°cell = E°$редукциянакатоде$ - E°$окислениенааноде$ E°cell = E°(Cu2+ + 2e- -> Cu) - E°(Hg2+ + 2e- -> 2Hg)
E°cell = 0.34 V - $-0.79V$ E°cell = 1.13 V

Для варианта с концентрацией ионов Hg2+ у анода равной 0.01 моль/л, необходимо учесть изменение концентрации ионов в формуле Нернста:

Ecell = E°cell - $0.0592/n$ * log$[Hg2+]а/[Hg2+]c$

где $$Hg2+$$а - концентрация ионов Hg2+ у анода, $$Hg2+$$c - концентрация ионов Hg2+ у катода $здесь[Hg2+]c=1M$, n - количество электронов в реакции $дляданногослучаяn=2$.

Ecell = 1.13 V - $0.0592/2$ log$0.01/1$ Ecell = 1.13 V - 0.0296 log$0.01$ Ecell ≈ 1.13 V - 0.0296*$-2$ ≈ 1.19 V

Таким образом, вариант с концентрацией ионов Hg2+ у анода равной 0.01 моль/л, имеет ЭДС примерно равную 1.19 V.