Кейс: после ионной бомбардировки поверхности металла её морфология изменилась — какие взаимодействия ион–мишень приводят к эрозии, образованию наноструктур и изменению химического состава поверхности?
Кратко — по механизмам и как они приводят к эрозии, наноструктурам и изменению состава. 1) Ядерные (упругие) столкновения — столкновения ионов с атомами мишени - Формируют каскады столкновений, выбивание атомов (sputtering), точки дефекта (вакансии, межузелья) и перераспределение массы вблизи поверхности. - Смертельно для эрозии: выходной коэффициент (sputter yield) пропорционален энергии, депонированной в близи поверхности: Y∝SnU0Y \propto \dfrac{S_n}{U_0}Y∝U0Sn, где SnS_nSn — ядерная остановка, U0U_0U0 — энергия связывания поверхности. - Масштаб: каскады — нм, глубина внедрения — проективный радиус RpR_pRp (зависит от энергии и масс иона/мишени). 2) Электронные взаимодействия — электронная остановка - При крупных SeS_eSe возможна электронная испарительная (electronic) sputtering, термальные «спайки» и локальное плавление с последующей рекристаллизацией (hillock'и). Влияет особенно для тяжёлых/скоростных ионов и изоляторов (Coulomb explosion в некоторых случаях). 3) Ионная имплантация и баллистическое смешение - Ионы внедряются до глубины RpR_pRp, создают профиль концентрации ионов, вызывая легирование/аллиирование и изменение химии поверхности. Баллистическое смешение перемещает атомы по глубине и вдоль поверхности — приводит к образованию тонких слоёв, интерметаллидов или аморфного слоя. 4) Предпочтительная скупка (preferential sputtering) и поверхностная сегрегация - Если разные элементы имеют разные YYY, состав поверхности меняется: элемент с большим YYY высыпается быстрее — поверхность обогащается вторым компонентом → образование стехиометрически изменённого слоя, оксидов/нитридов при наличии реактивных газов. 5) Газовые пузыри и отслоение - Ионы инертных газов (He, Ar) образуют пузыри/пузырьки, вызывающие вздутие и отслоение (blistering), кавитацию и микротрещины — сильная эрозия/изменение морфологии. 6) Диффузия, радиационно-ускоренная диффузия и химические реакции - Ионные повреждения повышают мобильность атомов (radiation-enhanced diffusion), способствуют образованию соединений (реактивная имплантация, оксидирование) и фазовым превращениям (аморфизация, рекристаллизация). 7) Формирование наноструктур (волны, ряды наностолбиков, ямки) - Механизм: конкуренция «дестабилизирующего» эрозионного эффекта, зависящего от кривизны поверхности, и «стабилизирующих» релаксационных процессов (поверхностная диффузия, вязкое течение). - Линейная теория Bradley–Harper (упрощённо) для высоты поверхности h(x,t)h(x,t)h(x,t): ∂th=−v0+νx∂xxh+νy∂yyh−K∇4h\displaystyle \partial_t h = -v_0 + \nu_x \partial_{xx}h + \nu_y \partial_{yy}h - K\nabla^4 h∂th=−v0+νx∂xxh+νy∂yyh−K∇4h, где νx,y\nu_{x,y}νx,y — коэффициенты, связанные с зависимостью скорости эрозии от кривизны, KKK — коэффициент релаксации (поверхностная диффузия). - Из неё получается характерная длина ряби (амплитуда/ширина волн): λ≈2π2K∣ν∣\displaystyle \lambda \approx 2\pi\sqrt{\dfrac{2K}{|\nu|}}λ≈2π∣ν∣2K. - Нелинейные стадии описываются уравнением Куромото–Сивашинского: ∂th=ν∇2h−K∇4h+λ2(∇h)2+η\displaystyle \partial_t h = \nu\nabla^2 h - K\nabla^4 h + \tfrac{\lambda}{2}(\nabla h)^2 + \eta∂th=ν∇2h−K∇4h+2λ(∇h)2+η, дающим насыщение рельефа и сложные морфологии. 8) Массовый перенос (crater/mass-redistribution) и каскадные кратеры - Помимо удаления, каждый удар формирует «кратер» и реактивно сдвигает материю — это даёт эффективный вклад в образование рябей и точечных наноструктур, часто доминирующий при малых энергиях. 9) Влияющие параметры (чем управлять) - Энергия иона EEE, масса иона, угол падения θ\thetaθ (максимум YYY часто около θ∼60∘\theta\sim 60^\circθ∼60∘), плотность потока (flux) и флюенс (fluence), температура мишени, кристалличность и химический состав мишени, наличие реактивных газов. Коротко: эрозия происходит главным образом через ядерное выбивание (sputtering) и пузыри; нанорельеф — результат конкуренции кривизно‑зависящей эрозии и релаксации (Bradley–Harper → KS), плюс массовое перераспределение; состав поверхности меняется за счёт имплантации, баллистического смешения и предпочтительного выцарапывания/реакций. Для количественных оценок используют величины Y(E,θ)Y(E,\theta)Y(E,θ), Sn,SeS_n,S_eSn,Se, RpR_pRp и модели SRIM/Монте‑Карло.
1) Ядерные (упругие) столкновения — столкновения ионов с атомами мишени
- Формируют каскады столкновений, выбивание атомов (sputtering), точки дефекта (вакансии, межузелья) и перераспределение массы вблизи поверхности.
- Смертельно для эрозии: выходной коэффициент (sputter yield) пропорционален энергии, депонированной в близи поверхности: Y∝SnU0Y \propto \dfrac{S_n}{U_0}Y∝U0 Sn , где SnS_nSn — ядерная остановка, U0U_0U0 — энергия связывания поверхности.
- Масштаб: каскады — нм, глубина внедрения — проективный радиус RpR_pRp (зависит от энергии и масс иона/мишени).
2) Электронные взаимодействия — электронная остановка
- При крупных SeS_eSe возможна электронная испарительная (electronic) sputtering, термальные «спайки» и локальное плавление с последующей рекристаллизацией (hillock'и). Влияет особенно для тяжёлых/скоростных ионов и изоляторов (Coulomb explosion в некоторых случаях).
3) Ионная имплантация и баллистическое смешение
- Ионы внедряются до глубины RpR_pRp , создают профиль концентрации ионов, вызывая легирование/аллиирование и изменение химии поверхности. Баллистическое смешение перемещает атомы по глубине и вдоль поверхности — приводит к образованию тонких слоёв, интерметаллидов или аморфного слоя.
4) Предпочтительная скупка (preferential sputtering) и поверхностная сегрегация
- Если разные элементы имеют разные YYY, состав поверхности меняется: элемент с большим YYY высыпается быстрее — поверхность обогащается вторым компонентом → образование стехиометрически изменённого слоя, оксидов/нитридов при наличии реактивных газов.
5) Газовые пузыри и отслоение
- Ионы инертных газов (He, Ar) образуют пузыри/пузырьки, вызывающие вздутие и отслоение (blistering), кавитацию и микротрещины — сильная эрозия/изменение морфологии.
6) Диффузия, радиационно-ускоренная диффузия и химические реакции
- Ионные повреждения повышают мобильность атомов (radiation-enhanced diffusion), способствуют образованию соединений (реактивная имплантация, оксидирование) и фазовым превращениям (аморфизация, рекристаллизация).
7) Формирование наноструктур (волны, ряды наностолбиков, ямки)
- Механизм: конкуренция «дестабилизирующего» эрозионного эффекта, зависящего от кривизны поверхности, и «стабилизирующих» релаксационных процессов (поверхностная диффузия, вязкое течение).
- Линейная теория Bradley–Harper (упрощённо) для высоты поверхности h(x,t)h(x,t)h(x,t):
∂th=−v0+νx∂xxh+νy∂yyh−K∇4h\displaystyle \partial_t h = -v_0 + \nu_x \partial_{xx}h + \nu_y \partial_{yy}h - K\nabla^4 h∂t h=−v0 +νx ∂xx h+νy ∂yy h−K∇4h,
где νx,y\nu_{x,y}νx,y — коэффициенты, связанные с зависимостью скорости эрозии от кривизны, KKK — коэффициент релаксации (поверхностная диффузия).
- Из неё получается характерная длина ряби (амплитуда/ширина волн):
λ≈2π2K∣ν∣\displaystyle \lambda \approx 2\pi\sqrt{\dfrac{2K}{|\nu|}}λ≈2π∣ν∣2K .
- Нелинейные стадии описываются уравнением Куромото–Сивашинского:
∂th=ν∇2h−K∇4h+λ2(∇h)2+η\displaystyle \partial_t h = \nu\nabla^2 h - K\nabla^4 h + \tfrac{\lambda}{2}(\nabla h)^2 + \eta∂t h=ν∇2h−K∇4h+2λ (∇h)2+η, дающим насыщение рельефа и сложные морфологии.
8) Массовый перенос (crater/mass-redistribution) и каскадные кратеры
- Помимо удаления, каждый удар формирует «кратер» и реактивно сдвигает материю — это даёт эффективный вклад в образование рябей и точечных наноструктур, часто доминирующий при малых энергиях.
9) Влияющие параметры (чем управлять)
- Энергия иона EEE, масса иона, угол падения θ\thetaθ (максимум YYY часто около θ∼60∘\theta\sim 60^\circθ∼60∘), плотность потока (flux) и флюенс (fluence), температура мишени, кристалличность и химический состав мишени, наличие реактивных газов.
Коротко: эрозия происходит главным образом через ядерное выбивание (sputtering) и пузыри; нанорельеф — результат конкуренции кривизно‑зависящей эрозии и релаксации (Bradley–Harper → KS), плюс массовое перераспределение; состав поверхности меняется за счёт имплантации, баллистического смешения и предпочтительного выцарапывания/реакций. Для количественных оценок используют величины Y(E,θ)Y(E,\theta)Y(E,θ), Sn,SeS_n,S_eSn ,Se , RpR_pRp и модели SRIM/Монте‑Карло.