Проанализируйте, как магнитное поле влияет на фазовые состояния сверхпроводника и объясните феномен Мейснера и разницу между сверхпроводниками I и II типа с точки зрения свободной энергии и вихрей
Магнитное поле влияет на фазовое состояние сверхпроводника через энергию магнитного поля и через упорядочение куперовских пар, описываемое полем порядка. Ключевые параметры — глубина проникновения поля λ \lambda λ и когерентная длина ξ \xi ξ; их отношение даёт параметр Гинзбурга–Ландау κ=λ/ξ \kappa=\lambda/\xi κ=λ/ξ. Ниже — главное по сути явлений и энергий. Основная модель (GL‑свободная энергия): F[ψ,A]=Fn+∫d3r[α∣ψ∣2+β2∣ψ∣4+12m∗∣(−iℏ∇−q∗A)ψ∣2+∣B∣22μ0],
F[\psi,\mathbf{A}]=F_n+\int d^3r\left[\alpha|\psi|^2+\frac{\beta}{2}|\psi|^4+\frac{1}{2m^*}\left|(-i\hbar\nabla-q^*\mathbf{A})\psi\right|^2+\frac{|\mathbf{B}|^2}{2\mu_0}\right], F[ψ,A]=Fn+∫d3r[α∣ψ∣2+2β∣ψ∣4+2m∗1∣(−iℏ∇−q∗A)ψ∣2+2μ0∣B∣2],
где B=∇×A \mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A} B=∇×A. Свободная энергия минимизируется по ψ \psi ψ и A \mathbf{A} A; решение определяет, вытесняется ли магнитное поле и какие структуры (вихри) образуются. Феномен Мейснера (полное вытеснение поля): - В сверхпроводящем состоянии при малых внешних полях образуются поверхностные токи, которые экранируют магнитное поле, так что внутри образца B=0 \mathbf{B}=0 B=0 (идеальная диамагнитность). - Энергетически это объясняется соотношением между энергией конденсации (выигрыш при образовании сверхпроводящего состояния) и стоимостью магнитной энергии при проникновении поля. При однородном поле сравнение по объёму даёт порог: сверхпроводящее состояние выгодно, если μ0H22<μ0Hc22⇒H<Hc,
\text{сверхпроводящее состояние выгодно, если } \frac{\mu_0 H^2}{2}<\frac{\mu_0 H_c^2}{2}\quad\Rightarrow\quad H<H_c, сверхпроводящеесостояниевыгодно, если2μ0H2<2μ0Hc2⇒H<Hc,
где Hc H_c Hc — термодинамическое критическое поле (величина, при которой выигрыши энергии сравниваются). Различие между типами I и II (с точки зрения свободной энергии и вихрей): - Критерий: κ=λ/ξ \kappa=\lambda/\xi κ=λ/ξ. Пороговое значение — κc=1/2 \kappa_c=1/\sqrt{2} κc=1/2. - Для κ<1/2 \kappa<1/\sqrt{2} κ<1/2 — сверхпроводник I типа. - Для κ>1/2 \kappa>1/\sqrt{2} κ>1/2 — сверхпроводник II типа. - Физика через поверхностную энергию границы «нормальная — сверхпроводящая»: - Для I‑типа поверхностная энергия положительна. Значит выгодно формировать большие нормальные области (макроскопическое разделение фаз) при приближении к Hc H_c Hc — возникает промежуточное состояние с чередованием нормальных и сверхпроводящих доменов. Проникновение поля происходит скачком при H≈Hc H\approx H_c H≈Hc. - Для II‑типа поверхностная энергия отрицательна. Малые нормальные трубки (вихри магнитного потока) стабилизируются и вводятся поодиночке, образуя смешанное состояние при Hc1<H<Hc2 H_{c1}<H<H_{c2} Hc1<H<Hc2. Вихри (флюксоны) в сверхпроводниках II типа: - Каждый вихрь несёт кванту магнитного потока Φ0=h2e.
\Phi_0=\frac{h}{2e}. Φ0=2eh.
- Структура: нормальное ядро радиуса ~ξ \xi ξ (где порядок подавлен), вокруг — циркулирующие сверхтоки, экранирующие поле на расстоянии ~λ \lambda λ. - Баланс энергий: введение одного вихря уменьшает магнитную энергию (поле проникает внутрь) но стоит энергии конденсации в ядре и кинетической энергии токов. Когда выгодно — возникает решётка вихрей (Абрикоcовская решётка). - Критические поля (приближённо): Hc1≈Φ04πμ0λ2lnκ(порог ввода первого вихря),
H_{c1}\approx\frac{\Phi_0}{4\pi\mu_0\lambda^2}\ln\kappa\quad\text{(порог ввода первого вихря)}, Hc1≈4πμ0λ2Φ0lnκ(порогвводапервоговихря),Hc2≈Φ02πξ2(верхнее критическое поле — полное разрушение сверхпроводимости).
H_{c2}\approx\frac{\Phi_0}{2\pi\xi^2}\quad\text{(верхнее критическое поле — полное разрушение сверхпроводимости)}. Hc2≈2πξ2Φ0(верхнеекритическоеполе — полноеразрушениесверхпроводимости).
При H<Hc1 H<H_{c1} H<Hc1 действует Мейснер; при Hc1<H<Hc2 H_{c1}<H<H_{c2} Hc1<H<Hc2 — смешанное (вихревое) состояние; при H>Hc2 H>H_{c2} H>Hc2 — нормальное состояние. Короткое резюме: - Мейснер — это результат минимизации GL‑энергии: при малых полях более выгодно полностью вытеснить поле, чем терять конденсационную энергию. - Тип I: κ<1/2 \kappa<1/\sqrt2 κ<1/2 — положительная поверхностная энергия, макроскопическое разделение фаз, резкое превращение при H≈Hc H\approx H_c H≈Hc. - Тип II: κ>1/2 \kappa>1/\sqrt2 κ>1/2 — отрицательная поверхностная энергия, образование и упорядочивание квантованных вихрей, два критических поля Hc1 H_{c1} Hc1 и Hc2 H_{c2} Hc2 и промежуточное смешанное состояние.
Основная модель (GL‑свободная энергия):
F[ψ,A]=Fn+∫d3r[α∣ψ∣2+β2∣ψ∣4+12m∗∣(−iℏ∇−q∗A)ψ∣2+∣B∣22μ0], F[\psi,\mathbf{A}]=F_n+\int d^3r\left[\alpha|\psi|^2+\frac{\beta}{2}|\psi|^4+\frac{1}{2m^*}\left|(-i\hbar\nabla-q^*\mathbf{A})\psi\right|^2+\frac{|\mathbf{B}|^2}{2\mu_0}\right],
F[ψ,A]=Fn +∫d3r[α∣ψ∣2+2β ∣ψ∣4+2m∗1 ∣(−iℏ∇−q∗A)ψ∣2+2μ0 ∣B∣2 ], где B=∇×A \mathbf{B}=\nabla\times\mathbf{A} B=∇×A. Свободная энергия минимизируется по ψ \psi ψ и A \mathbf{A} A; решение определяет, вытесняется ли магнитное поле и какие структуры (вихри) образуются.
Феномен Мейснера (полное вытеснение поля):
- В сверхпроводящем состоянии при малых внешних полях образуются поверхностные токи, которые экранируют магнитное поле, так что внутри образца B=0 \mathbf{B}=0 B=0 (идеальная диамагнитность).
- Энергетически это объясняется соотношением между энергией конденсации (выигрыш при образовании сверхпроводящего состояния) и стоимостью магнитной энергии при проникновении поля. При однородном поле сравнение по объёму даёт порог:
сверхпроводящее состояние выгодно, если μ0H22<μ0Hc22⇒H<Hc, \text{сверхпроводящее состояние выгодно, если } \frac{\mu_0 H^2}{2}<\frac{\mu_0 H_c^2}{2}\quad\Rightarrow\quad H<H_c,
сверхпроводящее состояние выгодно, если 2μ0 H2 <2μ0 Hc2 ⇒H<Hc , где Hc H_c Hc — термодинамическое критическое поле (величина, при которой выигрыши энергии сравниваются).
Различие между типами I и II (с точки зрения свободной энергии и вихрей):
- Критерий: κ=λ/ξ \kappa=\lambda/\xi κ=λ/ξ. Пороговое значение — κc=1/2 \kappa_c=1/\sqrt{2} κc =1/2 .
- Для κ<1/2 \kappa<1/\sqrt{2} κ<1/2 — сверхпроводник I типа.
- Для κ>1/2 \kappa>1/\sqrt{2} κ>1/2 — сверхпроводник II типа.
- Физика через поверхностную энергию границы «нормальная — сверхпроводящая»:
- Для I‑типа поверхностная энергия положительна. Значит выгодно формировать большие нормальные области (макроскопическое разделение фаз) при приближении к Hc H_c Hc — возникает промежуточное состояние с чередованием нормальных и сверхпроводящих доменов. Проникновение поля происходит скачком при H≈Hc H\approx H_c H≈Hc .
- Для II‑типа поверхностная энергия отрицательна. Малые нормальные трубки (вихри магнитного потока) стабилизируются и вводятся поодиночке, образуя смешанное состояние при Hc1<H<Hc2 H_{c1}<H<H_{c2} Hc1 <H<Hc2 .
Вихри (флюксоны) в сверхпроводниках II типа:
- Каждый вихрь несёт кванту магнитного потока
Φ0=h2e. \Phi_0=\frac{h}{2e}.
Φ0 =2eh . - Структура: нормальное ядро радиуса ~ξ \xi ξ (где порядок подавлен), вокруг — циркулирующие сверхтоки, экранирующие поле на расстоянии ~λ \lambda λ.
- Баланс энергий: введение одного вихря уменьшает магнитную энергию (поле проникает внутрь) но стоит энергии конденсации в ядре и кинетической энергии токов. Когда выгодно — возникает решётка вихрей (Абрикоcовская решётка).
- Критические поля (приближённо):
Hc1≈Φ04πμ0λ2lnκ(порог ввода первого вихря), H_{c1}\approx\frac{\Phi_0}{4\pi\mu_0\lambda^2}\ln\kappa\quad\text{(порог ввода первого вихря)},
Hc1 ≈4πμ0 λ2Φ0 lnκ(порог ввода первого вихря), Hc2≈Φ02πξ2(верхнее критическое поле — полное разрушение сверхпроводимости). H_{c2}\approx\frac{\Phi_0}{2\pi\xi^2}\quad\text{(верхнее критическое поле — полное разрушение сверхпроводимости)}.
Hc2 ≈2πξ2Φ0 (верхнее критическое поле — полное разрушение сверхпроводимости). При H<Hc1 H<H_{c1} H<Hc1 действует Мейснер; при Hc1<H<Hc2 H_{c1}<H<H_{c2} Hc1 <H<Hc2 — смешанное (вихревое) состояние; при H>Hc2 H>H_{c2} H>Hc2 — нормальное состояние.
Короткое резюме:
- Мейснер — это результат минимизации GL‑энергии: при малых полях более выгодно полностью вытеснить поле, чем терять конденсационную энергию.
- Тип I: κ<1/2 \kappa<1/\sqrt2 κ<1/2 — положительная поверхностная энергия, макроскопическое разделение фаз, резкое превращение при H≈Hc H\approx H_c H≈Hc .
- Тип II: κ>1/2 \kappa>1/\sqrt2 κ>1/2 — отрицательная поверхностная энергия, образование и упорядочивание квантованных вихрей, два критических поля Hc1 H_{c1} Hc1 и Hc2 H_{c2} Hc2 и промежуточное смешанное состояние.