Для сегнетоэлектрических кристаллов значения диэлектрической проницаемости могут быть довольно высокими и зависят от конкретного материала. Например, для кристалла бария титаната (BaTiO3) диэлектрическая проницаемость может быть порядка 300-1000.

Диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков обычно зависит от температуры. При поднятии температуры значение диэлектрической проницаемости обычно уменьшается, что связано с изменением внутренней структуры кристалла и ориентацией дипольных моментов под воздействием теплового движения атомов.

Однако, существуют также сегнетоэлектрические материалы, у которых диэлектрическая проницаемость при некоторых температурах может возрастать. Это связано с различными фазовыми переходами и изменениями внутренней структуры материала при изменении температуры.